[参考译文] TAS5162：AMP配置模式和保护问题

Pawel，

1)“完全保护”和“闭锁关闭”之间的区别很小，两者都保护设备。 在完全保护中，设备将使用电流限制功能尝试降低OC事件中的输出电流。 如果不能降低电流，电流将关闭。 在Latching (闭锁)模式下，在发生OC事件时，放大器会简单地关闭。 模式4具有完全保护，红色框中提到的注意事项。

2)卡在高位或低位保护已禁用。 让我看看占空比要求。

3)参见答案(1)。 此外，完全保护的速度非常快，比1秒快得多。 这是为了在音乐瞬态，低音敲击，尖锐声音等情况下允许非常短暂的过流峰值。故障自动重置需要系统微控制器检测OTW或SD针脚，然后切换重置。

4)我们建议仅对BTL输出使用BTL模式，对SE输出使用SE模式。 我们不支持/保证/建议在BTL模式下使用SE输出。

5)否，它们是独立的。

6)您回答正确，SD针脚是全局的，没有迹象表明关闭了哪半个bridfe。 您应该只能重置受影响的输出。

此致，

-Adam

感谢您的快速回答。

但我更确切地问：

1)"完全保护"和"锁定关闭"之间的区别很小，两者都保护设备。 在完全保护中，设备将使用电流限制功能尝试降低OC事件中的输出电流。 如果不能降低电流，电流将关闭。 在Latching (闭锁)模式下，在发生OC事件时，放大器会简单地关闭。 模式4具有完全保护，红色框中提到的注意事项。[/QUET]

在完全保护中，SD指示任何OC事件(当保护电路试图限制电流时)，还是仅当保护电路关闭半桥时？

[报价]4)我们建议仅使用BTL模式进行BTL输出，使用SE模式进行SE输出。 我们不支持/保证/建议在BTL模式下使用SE输出。[/QUOT]

在这两种模式中TAS5162的行为必须有所不同，因为您建议仅将BLT模式用于BLT输出。  您能解释一下模式在模式0和模式4之间变化时TAS电路中的什么功能被改变了吗？

Pawel，

SD引脚上不报告在OC事件中尝试降低输出电流的保护，仅当系统关闭时触发SD引脚。

有许多差异，最常见的是设备保护要求输出与设备设置的模式匹配。 不遵循此处的数据表可能会损坏芯片/系统/保护功能。

此致，

-Adam

Pawel，

回到有关PWM输入保护的问题。 我们仅在此处检查PWM输入是否在可接受的占空比范围内。 如果占空比过低或过高，安培将停止切换。

此设计的应用和目标是什么？ 如果您能够解释配置和问题的原因，我们可以帮助您更轻松地解决这些问题。

此致，

-Adam

SD引脚上不报告在OC事件中尝试降低输出电流的保护，仅当系统关闭时触发SD引脚。[/QUOT]
谢谢。

存在许多差异，最常见的是设备保护要求输出与设备设置的模式匹配。 不遵循此处的数据表可能会损坏芯片/系统/保护功能。[/QUOT]

是的，但这并不能解释电路的区别。 因此我们的问题是TAS5162内部电路的变化，当模式等同于实际使用模式时(例如，当所选模式为BTL且扬声器连接为BTL时)，启用保护电路以更好地保护输出。 当所选模式不是实际模式(所选模式为SE且扬声器连接为BTL时，或反之)时，和保护最差。

目的在于真正了解保护电路在所有模式下的工作原理。 因为我们想要设计不常见的放大器，在BLT模式下，PWM输入可能不是反相(我们指的方法类似于使用PWM和半桥驱动电动机的快速衰减和慢速衰减方法)。

因此，我们需要知道，当我们将BTL模式与非对称PWM输入信号对配合使用时，是否存在任何问题。
或者当我们使用SE模式创建BTL输出时。

Pawel，

我无法解释这一点，信息被分类，芯片设计为在连接模式下正常工作，提供了我们可以提供的最佳保护。

如果您能解释您的目标和需求，我们可以帮助您决定使用哪种模式和配置。

此致，

-Adam

通常我们想要使用BTL模式，但也有一些多余的功能。

A) A和B输入(也包括C和D)上的PWM可能不对称。

它可能是非对称的(非相位)，如下图所示：

因此，此时A和B输出将同时处于低或高状态。

B)出于其他原因(使用的复杂LC滤波器)，来自A输出的瞬时电流汇可能不等于来自B输出的电流源。

因此我们认为使用SE模式会更好，因为此模式可以更好地优化到非相关PWM信号和非相关电流(因为SE模式不需要在A和B端子中有相同的信号，所以此模式认为A和B是分离的电缆)。

但是SE模式的THD性能更差。 因此，如果可以在我们的应用程序中设置BTL模式，并且它不会与上述多余功能相冲突，我们将根据SET SE模式设置BTL模式。

是的，它类似于BD模式(但不完全是BD模式)。

我们还有另一个关于PBTL配置的问题(PBTL模式和PBTL连接负载)。

在这种情况下，每个H形电桥都会看到负载停止(即负载的双路阻抗)。 在BTL H形电桥中，查看所有负载(1 x阻抗)。

因此，当PBTL与BTL相比，负载的扬声器阻抗为扬声器阻抗的2倍时，就会出现同等负载模块H形电桥。

例如，BTL的8R等于PBTL的4R。

我们期望这两个连接具有相似的THD性能。

但 数据表中的THD图形显示出一些不同的内容。 我们编辑了数字以方便阅读：

差异来自何处？

Pawel，

在PBTL模式下，两对输出之间不能精确地共享负载。 输出FET的RDSON实际上是可用电流的一半和两倍，但输出滤波器和器件内部等因素也会影响THD性能。

此致，

-Adam