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https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/908744/drv595-drv595-higher-power-output
器件型号:DRV595我一直使用 DRV595 成功驱动 TEC (4A、12VDC)、但现在我需要更多电流(高达10A)。 是否有更高电流版本的此 IC、或者是否有类似的驱动器可与外部 MOSFET 连接? 可能是单片高功率 H 桥 IC? 与 DRV595类似 、它非常适合驱动差分输入单端并以400kHz 的最小频率运行驱动器、以便将 TEC 的组件尺寸和电气噪声/纹波保持在最小值。
是否有理由不能使用 同步降压 NexFET功率级(CSD95373AQ5M 或类似产品)来允许更高的电流? 如果 DRV595的 PWM 输出通过适当的电阻网络连接 到 CSD95373AQ5M 上的 PWM 输入、 则可以获得更高的电流?
谢谢!
尊敬的 Chris:
这是一个有趣的主意。 但是、使用 DRV595、您可以连续更改电流、因为您可以直接控制输出电压。 如果在此处使用功率级、在 DRV595输出之后、问题是 TEC 上的输出电压只能在+/-PVDD 之间摆动、这是否正常?
谢谢!
此致、
Sam
尊敬的 Sam:
DRV595的输出是 +/-PVDD 之间的可变占空比方波、并且具有 LC 滤波器、可使整个 TEC 的输出平滑。 我想、功率级的输出波形将遵循连接到功率级 PWM 输入的 DRV595输出。 然后、将滤波器放置在通向 TEC 的功率级之后、如原始电路中所示。 听起来如何?
此致、
Chris。
尊敬的 Chris:
好的、我看到了。
提醒一下、您不能使用 OUTP 来驱动高侧次级 FET、也不能使用 OUTN 来驱动低侧 次级 FET。 这是因为 DRV595采用了 BD/1spw 调制、此时 OUTP 和 OUTN 均等于 PVDD。 这将导致您自己功率级上出现"击穿"。
相反、我建议您仅使用放大器的一侧 PWM 输出来构建功率级。 例如、使用 OUTP。 您将有一个由 OUTP 驱动的高侧 FET、并插入一个逆变器、以向低侧 FET 生成互补驱动信号。 还需要死区时间。
这样、与差分输出相比、您将具有半个增益。 您可以通过更改 GAIN/SLV 引脚上的配置来设置更高的增益。
明白了吗?
谢谢!
此致、
Sam
尊敬的 Sam:
我想我看到但不确定为什么会有击穿? 我在1spw 模式下运行 DRV595。 我的想法是使用两个功率级(1和2)作为 OUTP 和 OUTN 的功率跟随器。 电源状态1输入 PWM1连接到 OUTP、功率级 2 PMW2输入连接到 OUTN。 OUTP 和 OUTN 的值都在电源接地和电源电压(12VDC)之间摆动、并在功率级期望接收时形成正方波。 功率级相应的输出 VSW1和 VSW 2应完全遵循来自 OUTP 和 OUTN 的输入?
我不确定是否看到击穿问题、因为当 OUTP 和 OUTN 均为高电平(PVDD)时、功率级1和2 (VSW1和 VSW2)的输出也将为 PVDD、并且负载中不会有电流流动。 基本上、功率级会复制 OUTP 和 OUTN 波形。 也许我错过了什么?
非常感谢您的深入见解!
Chris。
您好!
是的、这可能是一个解决方案。 您还可以添加齐纳二极管来钳制 PWM 输入、以保护 CSD 器件。
由于您实际上使用的是独立功率级 IC、因此它具有集成自举电容器、因此无需担心 NMOS 导通电压。
软提醒是功率级上有一个增益、此增益等于 CSD 器件的 PVDD。
其他看起来不错。 谢谢!
此致、
Sam
谢谢 Sam。 DRV595和 CSD 器件均由12V 电源供电、因此增益应为一。 我还将添加一个5V 齐纳二极管并尝试该设计。 我想它也可以被仿真。 我假设自举电压与12VDC VDD 的16VDC 相似。