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[参考译文] TAS2557:有关辅助 I2S 接口的查询

Guru**** 2390200 points
Other Parts Discussed in Thread: TAS2557, TAS2563
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/947621/tas2557-queries-on-the-secondary-i2s-interface

器件型号:TAS2557
主题中讨论的其他器件: TAS2563

您好!  

我们希望在手机中使用 TAS2557以免提模式驱动扬声器。

  • 我们计划仅使用1个 I2S 连接(ASI1)。 我们计划仅根据 扬声器线圈温度启用扬声器偏移保护、扬声器温度保护和扬声器过驱。  有可能吗?
  • 在语音呼叫用例中,由于我们没有使用第二个 I2S 端口,是否会对主机上发生的回声消除产生任何影响?
  • 由于我们不在 TAS2557中启用其他声音增强算法、应用是否需要来自第二个 ASI2端口的输出数据?

感谢您的快速响应。

谢谢、

Naveen

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    大家好、Naveen、

    我们的团队将查看这一点、并尽快提供答案。

    此致、
    Luis Fernando Rodríguez S.

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    您好、Naveen、

    实际上、自从发布数据表以来、TAS2557固件已更新、发送回波参考无需 ASI2。 该数据通过 ASI1 SDOUT 线路发回。 PPC3中包含固件更新、因此器件本身(硬件)是相同的。

    您可以将未使用的 ASI2接口保持悬空。

    此外、您可能还可以考虑 TAS2563而不是 TAS2557? TAS2563是我们最新发布的智能放大器。

    此致、
    -Ivan Salazar
    应用工程师-低功耗音频和传动器

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    您好、Ivan、

    感谢您的宝贵建议。

    我们已经为 TAS2563创建了原理图。 请查看并提供您的意见。

    扬声器部件为 OWS-111535LA-8A

    https://owolff.com/Acoustics/Speakers/@2059/OWS-111535LA-8A

    谢谢、

    Naveen

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    你(们)好

    附加原理图、因为在上一帖子中看不到该原理图。

    谢谢、

    Naveen

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    您好、Naveen、

    让我在下面补充一些意见:

    • R1和 R2位于 OUT_P 和 VSNS_P 上 也许更适合在 OUT_P 和 OUT_N 上使用这些占位符?
    • 最好也保留 VSNS_P 和 VSNS_N 占位符、如果在某些时候您决定在输出端使用铁氧体+电容器滤波器、最好将1k Ω 电阻器与 VSNS_x 引脚串联、 这是为了防止因滤波器过冲而造成的任何可能损坏。
    • 您能否指定 PVDD 上的电压额定值或去耦电容器的器件型号? 在电压为11.5V 时、您必须考虑电容器的直流降额不要低于3.3uF

    如果尚未阅读此应用手册 、请考虑查看:https://www.ti.com/lit/an/slaa920/slaa920.pdf

    此致、
    -Ivan Salazar
    应用工程师-低功耗音频和传动器

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    您好、Ivan、  

    感谢您的快速响应。

    • 我们还会为 OUT_P/N 和 VSNS_P/N 上的电阻器提供占位符。
    • 1uF 具有16V、10uF 具有25V 额定值。 希望这可以。

    感谢您提供应用手册、我将仔细阅读并遵循参考原理图。

    此致、

    Naveen

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    您好、Ivan、  

    为了获得确认、此原理图经审阅后即可实现以下目标:

    • 扬声器偏移保护
    • 扬声器温度保护
    • 基于扬声器线圈温度的扬声器过驱
    • 回波消除

    如果我错了、请更正。

    谢谢、

    Naveen

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    大家好、Naveen、

    伊凡今天不在办公室,明天早上他将能够作出回应。

    感谢您的理解。

    此致、
    Luis Fernando Rodríguez S.

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    大家好、Naveen

    在原理图中、您连接的 VSNS_P 和 VSNS_N 应分别连接到 OUT_P 和 OUT_N。

    由于 TAS2563 D 类输出不需要采用这种方式的滤波器输出电容器、因此通常不建议这样做。 C*dV/dt 电流可能触发过流保护。 如果这些电容器要限制 EMI、请考虑按照 Ivan 的建议、在电容器之前使用与输出串联的铁氧体磁珠。 如果您尚未看到该应用手册、本应用手册可能会有所帮助。 www.ti.com/.../slaa901.pdf

    我相信1uF@16V 和10uF@25V 就足够了、伊万将确认这一点。

    更正 VSNs_x 连接后、此原理图布局可实现偏移和温度保护。 借助这些保护、该器件将能够根据偏移和线圈温度最大限度地提高输出功率。 支持回波消除、回波参考数据通过 SDOUT1发送回。

    此致、

    Arthur Brown

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    尊敬的 Arthur:  

    感谢您的详细快速响应。

    在与应用手册中的参考原理图进行比较时、我很快就纠正了 VSNS 网络。 感谢您指出并分享有关滤波器设计的应用手册。

    根据参考原理图、我们已将分流电容(DNI)放置在输出端。我们将使其成为 DNI、并将电阻器替换为铁氧体磁珠。

    非常感谢您确认此原理图支持的功能。

    此致、

    Naveen

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    您好、Naveen、

    我们可以帮助您完成设计、这一点很好。 如有任何疑问、请告知我们。
    如果您有不同的问题、您可以回复此消息或创建新主题帖。

    此致、
    -Ivan Salazar
    应用工程师-低功耗音频和传动器

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    您好、Naveen、

    您是否会为连接到 PVDD 的1uF 和10uF 电容器提供器件型号? 这些电容器在11.5V 时的降额值必须大于3.3uF

    此致、

    Arthur Brown

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    尊敬的 Arthur:  

    器件型号如下:

    10uF:GRM188R61E106MA73D

    1uF: C0201X5R105M160NTX (随附数据表)e2e.ti.com/.../C0201X5R105M160NTX.pdf

    谢谢、

    Naveen

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    您好、Naveen、

    在11.5V 升压时、GRM188R61E106MA73D 的电容仅为1.6uF (来自 Murata www.murata.com/.../productdetail.aspx)。 我建议您使用两个 GRM188R61E106MA73D 和一个 C0201X5R105M160NTX。

    最棒的

    Arthur Brown

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    H Arthur、  

    非常感谢您的建议。 我们将遵循这一要求。

    此致、

    Naveen

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    大家好、Naveen、

    感谢您的回复、我们将等待您的反馈。

    此致、
    Luis Fernando Rodríguez S.

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    大家好、Naveen、

    您对此 e2e 主题是否有反馈?

    由于不活动、我将关闭此 e2e 线程。 但是、请随时添加您对此问题的任何反馈或更新。 如果您需要我们方面的额外支持、我们很乐意为您提供帮助。

    此致、
    Luis Fernando Rodríguez S.