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[参考译文] TAS6424-Q1：TAS6424无输出问题

admin
Guru**** 2473270 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/796741/tas6424-q1-tas6424-no-output-problem

器件型号：TAS6424-Q1
主题中讨论的其他器件：TAS6424

我目前正在测试 TAS6424、但发现 TAS6424始终毫无理由地停止输出

读回寄存器为：

(低于0x6b 是7设备地址的 MSB)

根目录@LicheePi：~编号./i2crw0 r 6B ff 64
读取 I2C 器件@ 0x6b、子地址0xff、读取计数64
64字节读取：
30 32 62 04 55 CF CF CF CF 00 11 00 00 55
00 00 00 20 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00
00 00 00 14 00 42 21 0A 00 00 00 00 00 00 00 00 00
00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00

在上面的回读中、我发现了一个问题、从00读取时、总是缺少一个字节、但从0xff 开始、结果正常、但没有检查 I2C 波形、为什么会发生这种情况。

为什么它在切换待机引脚后总是停止输出并重新打开？

我应该怎么做才能找到问题？

此致

动力平移

此致、

动力平移

  • 0
    TI__Guru**** 2473270 points
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    您好、Dylan 将很快跟进 TAS6424相关问题。

    RDGS、
    Matthew
  • 0
    TI__Guru**** 2473270 points
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    谢谢、我现在是测试此芯片的白鼠标。 我喜欢这种性能、但我需要帮助解决问题。
  • 0
    TI__Guru**** 2473270 points
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    无论我如何设置它、在将音量设置为高电平时始终静音、没有任何原因、也没有任何信息告诉您有什么问题。

    /i2crw0 r 6B ff 64
    读取 I2C 器件@ 0x6b、子地址0xff、读取计数64
    64字节读取：
    30 33 62 04 55 CF CF CF 00 11 00 00 00 55
    00 00 00 20 ff 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00
    00 00 00 14 00 42 21 0A 00 00 00 00 00 00 00 00 00
    00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    高功率、

    寄存器0x04的值为0x55、这意味着您没有将器件设置为播放模式。 但实际上、您说该器件确实播放了一段时间、因此可能会：
    1、控制器中还有另一个使 AMP 停止的过程、但您没有注意到这一点。 请检查。
    2.可能报告了一些故障、然后处理了一些代码来解决该故障并使 AMP 停止。 请检查一下。


    迪伦
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    0x04寄存器的正确设置应为0x00。
  • 0
    TI__Guru**** 2473270 points
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    您好、迪伦：

    感谢您的回复。

    在您的回复中、我们注意到我们访问了错误的板载工作 IC 地址。 我们有3个板载 IC、最多可输出6个通道。
    这是我们的缺点。

    这是正确的方法：

    /i2crw0 r 6d ff 64
    读取 I2C 器件@ 0x6d、子地址0xff、读取计数64
    64字节读取：
    30 33 62 05 00 e8 e8 e8 00 11 00 00 00 55
    F0 10 00 20 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00
    00 00 01 14 05 00 42 21 0A 00 00 00 00 00 00 00
    00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00

    发生过流？ 电源电流仅为5A 如何使 PBTL 过流？ 每个通道的过流为9A、总共应为18A、但电源@19V/5A 未触发过流保护、IC 保护？

    那么，可能会出现什么问题？ 请提供建议。

    它对时钟误差意味着什么？ 多年来、我们一直在使用此 FPGA 模块向其他 DAC 输出。 是否有提示？
    MCK 22.5792MHz
    BCK 2.8224MHz
    WCK 44.1kHz

    此致、
    动力平移
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    根目录@LicheePi：~编号./i2crw0 r 6a ff 64
    读取 I2C 器件@ 0x6a、子地址0xff、读取计数64
    64字节读取：
    30 33 62 05 00 df df df df 00 11 00 00 00 55
    0f 00 10 3f 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00
    00 80 00 14 05 00 82 21 0A 00 00 00 00 00 00 00 00
    00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00


    好的、可能找到了一些东西、提供400W 20V 20A 电源

    当使用4欧姆电阻器时、在大多数情况下似乎是正常的
    当使用2 Ω 电阻器时、它在音量较高时始终停止输出

    好的、下面是2 Ω 测试结果

    播放40Hz.wav

    负载2欧姆电阻器

    最大输出为6.6V AC

    根目录@LicheePi：~编号./i2crw0 w 33 24 1
    2字节写入。
    根目录@LicheePi：~编号./i2crw0 r 6a ff 64
    读取 I2C 器件@ 0x6a、子地址0xff、读取计数64
    64字节读取：
    30 33 62 05 00应为00 11 00 00 00 00
    00 00 00 00 3f 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00
    00 80 00 14 05 00 82 21 0A 00 00 00 00 00 00 00 00
    00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00

    音量增加到另一个级别时、出现错误。

    /i2crw0 r 6a ff 64
    读取 I2C 器件@ 0x6a、子地址0xff、读取计数64
    64字节读取：
    30 33 62 05 00 C1 C1 C1 C1 00 11 00 00 00 55
    0f 00 10 3f 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00
    00 80 00 14 05 00 82 21 0A 00 00 00 00 00 00 00 00
    00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00

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    TI__Guru**** 2473270 points
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    电源、

    您在2019年4月28日上午11：46和2019年4月28日上午11：07发布的两个问题是不同的问题。

    对于'2019年4月28日11：46 AM'、寄存器0x12值为0x10、寄存器0x13为0x3f、这意味着会发生 OTSD。 在4欧姆负载条件下不会关断、而在2欧姆条件下关断是合理的行为、因为效率较低、2欧姆条件下的输出功率较大、因此功耗较大。

    对于2019年4月28日上午11：07、它显示报告了 OC 故障、请检查负载条件。 如果仍然出现此问题、请告诉我详细的测试条件和原理图。 至于时钟故障和 POR 故障、可以忽略它、因为它可能会在初始化阶段发生故障、它只是一个仍然挂起的标志、可以通过将0x80写入寄存器0x21来清除它。



    迪伦
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    0x10读取0x0F 问题又如何呢？ 为什么 DC 从输出中分离？

    我的原理图完全符合数据表中的建议、但我想知道当电感器直流阻抗低于您在评估板上使用的值时是否会发生 OC？ 您能否确认您的 EVM 在驱动2欧姆负载和输出150W 时不会出现问题？
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    电源、

    0x0F 可能在过热关断期间发生。

    至于您的问题、

    电感器直流电容与 OC 无关、仅与电感器直流损耗相关、因此阻抗越低越好。

    2.在25V PVDD 和 PBTL 模式下，EVM 可输出150W 的功率，参见下图31。 数据表图在 EVM 板上捕获。

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    TI__Guru**** 2473270 points
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    关于 OC、电感器饱和电流电平可能是一个原因。 如果电感器饱和、则电感器为导线、OC 可轻松触发、通常需要2.5A 的最小饱和电流。 您能否向我发送您的电感器器器件型号、以便我快速检查一下。
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    这种情况不同、我所说的是 PWM 输出@ 2MHz 频率、图片显示的是384kHz
    我想知道它是否可以在2M PWM 输出下工作
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    2.1MHz 开关频率和384KHz 具有相同的输出能力、不同之处在于功率耗散和热性能。 由于散热器功能、TI EVM 可在短期(几秒钟)内输出150W、但无法始终如一地输出150W。 使用较大的散热器时、它肯定可以达到150W。 希望这些信息对您的设计有所帮助。
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    我将购买 EVM 进行测试，因此，如果 EVM 未通过测试，我们应该怎么办？
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    电源、

    您可以告诉我们您的测试条件和通过标准、我们可以分析您可以执行的操作。

    至于150W 2欧姆额定功率、我预计会有巨大的功率耗散、如果在过热情况下发生故障、您需要使用更大的散热器(更低的热阻和更大的热质量)


    迪伦
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    您好、Dylan

    有人告诉我需要进行认证才能使用 TI 控制台测试 TAS6424、我想知道如何完成这项工作？

    此致、

    动力平移

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    TI__Guru**** 2473270 points
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    电源、

    您能告诉我您的 TI 帐户吗、我可以在这方面为您提供帮助。

    迪伦

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    TI__Guru**** 2473270 points
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    电源、
    我已授予您使用该软件的权限、您应该会收到电子邮件以指导您下载该软件。
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    您好、Gregg

    感谢您的及时操作、以便我可以测试 EVM、EVM 没有任何问题。 然后、我需要确定我们的布局。 我认为长度不相等可能导致问题。 但我想问的一个问题是、如何测试28V 条件。在这样的情况下、3.3V LDO 最大电压输入为26V、原始设计 PBAT 直接连接到 PVDD、它仅在19.5V 下工作。

    我是否可以通过在没有升压电容器的情况下提供外部升压 N-MOS 驱动电压来提高 THD？

    此致、
    动力平移
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    高功率、
    有关自举引脚外部电源的有趣概念。 我不知道器件的性能会发生什么情况。
    EVM 用于在正常条件下进行测试。 VBAT 和 PVDD 之间有一根跳线、因此可以将其分离并添加外部 VBAT 电源。 如果移除跳线并将12V 直流电源添加到 VBAT、您可以在 PVDD 上使用升压电源对其进行测试。
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    您好、Gregg

    我们需要一路探索、以充分发挥 IC 的性能。 当我计算并发现、当输出到4 Ω 负载时、1.8V 压降、而内部 MOSFET 的电阻器仅为0.09Ohm、电感器仅为0.015Ohm。 所有升压电容都用于使电压加倍以满足 N-MOS 导通情况、但 AMP 不用于驱动电容负载。 因此、我尝试了其他 MOSFET 驱动器、我的工作方式。

    如果我能够了解更多的驱动器功能、我可能会在理论上实现更好的 AMP 设计。

    此致、
    动力平移
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    TI__Guru**** 2473270 points
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    电源、

    我不确定您在寻找什么。  请重复一下、因为我对您的请求有点困惑。

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    TI__Guru**** 2473270 points
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    您好、Gregg

    我确切需要知道的是
    1、高侧 N-MOS 驱动器的最高升压电压是多少？
    2、升压电容引脚能否替换为没有升压电容的最终级 N-MOS 的更高电压？
    3、最终 N-MOS 的输出电流是多少？

    此致、
    动力平移
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    3应该是：什么是最终级 N-MOS 栅极驱动器电流
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    电源、

    这 由自举电容器和器件的最大电压控制。  我们的内部设计与自举电容器配合使用、为高侧 FET 的栅极提供正确的电压。

    2. 你可以这样做。  这不是 IC 的设计或特性、因此 TI 无法推荐它或帮助进行系统设计。

    我们 将电流限制设置为6.5Ap。  

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    您好、Gregg

    感谢您的快速回复。 但我认为我需要明确说明

    1.高侧最终级 N-MOS 栅极电压应该比 PVDD 至少高9V，所以 PDF 格式的绝对电压是40V，所以输入38V 电压可以节省很多？
    2.明白了
    3.我需要用于最终级 N-MOS 电流栅极的驱动器电流、而不是输出电流。

    我需要确认的一点是，可以从单个芯片输出2x150W？

    此致、
    动力平移
  • 0
    TI__Guru**** 2473270 points
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    电源、

    1.高侧最终级 N-MOS 栅极电压应该比 PVDD 至少高9V，所以 PDF 格式的绝对电压是40V，所以输入38V 电压可以节省很多？
    [迪伦]不、您不能在高侧 BST 引脚上施加恒定的38V 电压。 BST 是内部栅极驱动器的电源、以高侧 FET 和低侧 FET 的中间为基准。 因此、如果施加恒定的38V 电压、那么这将是在低侧 FET 导通时施加到栅极驱动器电压的真正38V 电压、这将损坏栅极驱动器电路。
    如果需要、可以对高侧 BST 的高侧/低侧 FET 中间施加9V 电压。 并为低侧 BST 施加恒定9V 电压。

    在25V PVDD、2 Ω 负载、PBTL 条件下、该器件可提供2*150W 的功率。 您需要改进热设计、因为在这种情况下、功率耗散很大。


    迪伦
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    您好、Dylan 将很快跟进 TAS6424相关问题。
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    你好，迪伦

    感谢您的友好回复、很抱歉 我迟到的回复导致了业务提示。

    在我测试其他半桥栅极驱动器和通用全桥内部驱动器时、当正桥和一个高侧和一个低侧的 PWN 打开时、低侧栅极的+9V 电压、PVDD+9V 电压到高侧栅极电压。 那么、我的问题是、当高侧 MOSFET 处于导通/关断状态时、中间电压是多少。 低侧 BST 是 VBATT？

    此致、

    动力平移

    [引用 USER="迪伦 Yao]Power、

    1.高侧最终级 N-MOS 栅极电压应该比 PVDD 至少高9V，所以 PDF 格式的绝对电压是40V，所以输入38V 电压可以节省很多？
    [迪伦]不、您不能在高侧 BST 引脚上施加恒定的38V 电压。 BST 是内部栅极驱动器的电源、以高侧 FET 和低侧 FET 的中间为基准。 因此、如果施加恒定的38V 电压、那么这将是在低侧 FET 导通时施加到栅极驱动器电压的真正38V 电压、这将损坏栅极驱动器电路。
    如果需要、可以对高侧 BST 的高侧/低侧 FET 中间施加9V 电压。 并为低侧 BST 施加恒定9V 电压。

    在25V PVDD、2 Ω 负载、PBTL 条件下、该器件可提供2*150W 的功率。 您需要改进热设计、因为在这种情况下、功率耗散很大。


    迪伦

    [/报价]