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[参考译文] TAS5825M:PVDD 引脚的去耦电容

Guru**** 2468460 points
Other Parts Discussed in Thread: TAS5825M, TAS5825MEVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/789235/tas5825m-decoupling-capaitors-for-the-pvdd-pins

器件型号:TAS5825M

您好!

客户对 PVDD 引脚的去耦电容器有疑问。
在 TAS5825M μF 表的10.1.3电源去耦部分中、它描述了 PVDD 需要大于22 μ F 的低 ESR 电容器作为去耦电容器。
根据 TAS5825M 评估模块用户指南的物料清单、TAS5825MEVM 使用 TDK C2012JB1V226M125AC 作为每个 PVDD 引脚的去耦电容器。
但是、当施加电容器的直流偏置电压约为24V 时、其电容可能会降至约1/10、他指出。


即使电容降至1/10、也没有问题吗?
还是应该使用更大的电容来预测直流偏置电压下的电容减小?

此致、

Akio Ito

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    尊敬的 Akio-San:

    请与 TDK 联系、以便专业人士了解此参数。 我不认为这是电压增加时的电容值。

    此致、
    Alix Wan。
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    您好、Alix-San、

    感谢您的回答。 我告诉客户联系 TDK。

    此致、
    Akio Ito