尊敬的团队:
我的客户测试 LM4911Q-Q1、当他们测试波形时、发现唤醒时间为5分钟。 原理图如下所示。 我们尝试减小 Ci = 0.1uF~0.39uF、并移除 C908、C909。 但没有变化。 您能帮您分析一下这种情况吗?
谢谢、此致、
雪利
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尊敬的团队:
我的客户测试 LM4911Q-Q1、当他们测试波形时、发现唤醒时间为5分钟。 原理图如下所示。 我们尝试减小 Ci = 0.1uF~0.39uF、并移除 C908、C909。 但没有变化。 您能帮您分析一下这种情况吗?
谢谢、此致、
雪利
您好、Sherry、
当 VDD = 5V 时、我在电气特性中看不到 Twu 参数。 它仅在 VDD = 2.4V 时指定。 通常、如果输出是 C 耦合、则该值会增大。 您能否尝试将输出电容器降低到100uF 并验证其结果如何? 此外、您是否可以尝试不使用输出电容器? 这只是为了确认数据表提到的行为。
谢谢你。
此致、
Luis Fernando Rodríguez S.
您好、Luis、
原理图如下所示、
当 C901和 C910等于4.7uF、EC923、EC924等于220uF 时、唤醒时间为224s、如下所示:
当 C901、C910等于0.47uF、EC923、EC924等于100uF、并移除 C908、C909时、唤醒时间为104s、如下所示:
104秒仍然过长。 您能否使用 客户 参数(电容器、电阻器、输入电压和输出电压)测试我们的 EVM 唤醒时间? 因为客户很着急、所以我手头上没有 EVM。
期待您的回复!
谢谢、此致、
雪利
您好、Sherry、
104s 是100uF 输出负载的预期唤醒时间。 如数据表中所述、当 VDD = 2.4V (几乎等于您得到的值)时、典型唤醒时间为2秒。 我通过 EVM 确认了该值。
对于没有输出电容器且 VDD = 2.4V 的器件、最短唤醒时间为0.5秒。 因此、客户需要减小输出电容值以实现快速唤醒时间、但当 VDD = 5V 时、唤醒时间大约为0.3秒。
有关详细信息、请参阅电气特性。
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm4911.pdf#page=7
此致、
Luis Fernando Rodríguez S.
您好、Sherry、
请查看我在下面的回答、如果您有其他问题或意见、请告诉我。
我找到了有关这个偏差的更多信息。 当未连接负载时、VDD = 5V 的唤醒时间通常为0.35秒。 对于100uF 负载、唤醒时间通常为108秒(类似于您获得的值)。
2--不幸的是,Cin 和(主要) Cout 是决定唤醒时间的组件。 没有可修改此参数的附加组件。
此致
Luis Fernando Rodríguez S.