[参考译文] LM4911Q-Q1：TWU (唤醒时间)过长、为5分钟

您好、Sherry、

当 VDD = 5V 时、我在电气特性中看不到 Twu 参数。 它仅在 VDD = 2.4V 时指定。 通常、如果输出是 C 耦合、则该值会增大。 您能否尝试将输出电容器降低到100uF 并验证其结果如何？ 此外、您是否可以尝试不使用输出电容器？ 这只是为了确认数据表提到的行为。

谢谢你。

此致、
Luis Fernando Rodríguez S.

您好、Luis、

原理图如下所示、

当 C901和 C910等于4.7uF、EC923、EC924等于220uF 时、唤醒时间为224s、如下所示：

当 C901、C910等于0.47uF、EC923、EC924等于100uF、并移除 C908、C909时、唤醒时间为104s、如下所示：

104秒仍然过长。 您能否使用 客户 参数(电容器、电阻器、输入电压和输出电压)测试我们的 EVM 唤醒时间？ 因为客户很着急、所以我手头上没有 EVM。

期待您的回复！

谢谢、此致、

雪利

您好、Luis、

感谢您的帮助！

1. 当 VDD=5V 时、您能帮助缩短唤醒时间吗？  

2.除了降低 Cout 和 Cin 的值外，还有其他解决方案可以缩短唤醒时间吗？

谢谢、此致、

雪利

您好、Sherry、

请查看我在下面的回答、如果您有其他问题或意见、请告诉我。

我找到了有关这个偏差的更多信息。 当未连接负载时、VDD = 5V 的唤醒时间通常为0.35秒。 对于100uF 负载、唤醒时间通常为108秒(类似于您获得的值)。

2--不幸的是，Cin 和(主要) Cout 是决定唤醒时间的组件。 没有可修改此参数的附加组件。

此致
Luis Fernando Rodríguez S.

您好、Luis、

当客户将条件更改为 VDD=2.4V CB=4.7uF Co=100uF 时、唤醒时间仍然大约为100s。 原理图是否有任何错误？

谢谢、此致、

雪利