This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
由于 GSM 通信、我们设计的 VBAT 具有大约217Hz 的纹波、并且在 该状态下禁用了 tas2562升压、因此使用 VBAT 测量 PVDD 和 VBST 几乎相同。 但我们还检测到升压输出电容器正在发出 可闻的压电噪声。 由于 tas2562位于关键点、因此影响可能是无法确定的。 我们想听取有关此问题的一些建议。
此致、
Cain
您好、Cain、
我们将查看此问题并尽快回答。
此致、
Luis Fernando Rodríguez S.
尊敬的 Cain:
避免电容器上压电效应的一种方法是使用钽而不是陶瓷。
如果无法做到这一点、您可以尝试使用以下选项: https://product.tdk.com/en/search/capacitor/ceramic/mlcc/info?part_no=CGA5L1X7R1V106K160AC
或使用多个电容器、如 https://product.tdk.com/en/search/capacitor/ceramic/mlcc/info?part_no=C2012X6S1C156M125AC
此致、
-Ivan Salazar
应用工程师-低功耗音频和传动器
您好、Ivan、
感谢您的解决方案。 但是、由于钽电容器的可靠性、我们不太可能使用该电容器。 我们在 PVDD 上放置了两个0603 106/16V 陶瓷电容器、可能不使用较大的电容器。 我们正在考虑对布局或 TAS2562配置进行更改、以将噪声降低到可接受的水平。
此致、
Cain
尊敬的 Cain:
我们将在下个月发布 TAS2562的布局指南文档。
我将在我们发布后与您联系。
此致、
-Ivan Salazar
应用工程师-低功耗音频和传动器