Ivan Salazar,
很抱歉耽误你的回答。
例如、使用以下电容器会产生什么影响?
(1) GRM21BC8YA106KE11
psearch.en.murata.com/.../GRM21BC8YA106KE11#.html
(2) GRM32EB31E226KE15
https://psearch.en.murata.com/capacitor/product/GRM32EB31E226KE15%23.html
此致、
Jungo
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Ivan Salazar,
很抱歉耽误你的回答。
例如、使用以下电容器会产生什么影响?
(1) GRM21BC8YA106KE11
psearch.en.murata.com/.../GRM21BC8YA106KE11#.html
(2) GRM32EB31E226KE15
https://psearch.en.murata.com/capacitor/product/GRM32EB31E226KE15%23.html
此致、
Jungo
您好、Jungo、
10uF 电容器是去耦电容器的理想选择。 如果放置在电源引脚附近、则会正确地降低较低频率的纹波。 但是、对于0.1uF 电容器、我会替换22uF 电容器。 10uF 电容器足以应对低频噪声、但您需要使用0.1uF 电容器来降低高频成分。
此外、如数据表中所述、您需要考虑使用1uF 钽电容器。
希望这对您有所帮助。 如果您需要有关此方面的其他支持、请告诉我。
此致、
Luis Fernando Rodríguez S.
您好、Luis、
感谢您的回答。
我想让大家看看最初的问题(LM4950:关于数据表中的 P17 "电源旁路")。
我问伊凡·萨拉扎,他说你可以使用 X7R 或至少 X5R 资本家。
>钽旁路电容被写入 LM49507s 电源引脚和接地之间连接所需的电容。
>请为我介绍不使用钽旁路电容器的方法。
我的问题是、当使用以下电容器而不是钽电容器时、会发生什么情况。
我想知道使用以下电容器是否会导致 AMP 下降或 AMP 损坏。
根据直流偏置特性、GRM32EB31E226KE15在12V 时为8.8uF。
(1) GRM21BC8YA106KE11
psearch.en.murata.com/.../GRM21BC8YA106KE11#.html
(2) GRM32EB31E226KE15
psearch.en.murata.com/.../GRM32EB31E226KE15#.html
此致、
Jungo