[参考译文] TAS2557：前馈保护

大家好、David、

我的同事将查看此主题。 他将尽快回答。

此致、
Luis Fernando Rodríguez S.

尊敬的 David：

让我就您的问题添加一些意见：

• 在特性化过程中会提供一些扬声器规格、例如偏移和热限制、SPL 和频率响应也会被捕获。 该数据由旨在实现平坦频率响应的算法使用、使器件保持在指定的限值以下。
  前馈保护也使用此数据、但无法纠正理想预期扬声器性能与实际实时性能之间的任何差异、一些可能的变化是由于老化、由于播放时间长而产生的偏移、扬声器连接灵敏度等。
  建议使用实时保护。
  此外、EQ 可用于对输出音频进行微调。
• 您提到的减少输出的时间似乎太长。 您的扬声器详细信息是什么？ 也许您可以尝试禁用泄漏检测、或将其衰减降低至0dB。
  

希望这有助于解决您的问题。

此致、
－Ivan Salazar
应用工程师-低功耗音频和传动器

更改泄漏检测没有什么影响。

这些扬声器是全新的。

另一位工程师发现 EVM 和电路板的性能不同。  唯一的区别是、EVM 在 SPK_P 和 SPK_N 输出上没有输出铁氧体/1nF 电容器。  我们在输出上有铁氧体磁珠和1nF 电容器。 此外、当我进行扬声器表征时、它位于 EVM 上、输出上没有铁氧体磁珠。

他用0欧姆电阻器替换了电路板上的铁氧体磁珠、这解决了体积问题。  铁氧体磁珠是否能够产生足够的差异来大幅改变性能？

我还有一个相关的问题： 如果我们移除了铁氧体磁珠、我们出于 EMI 原因将其放置在这里、那么您如何调整边沿速率控制？  数据表在第1页(可调 D 类开关边沿速率控制)和第97页(第10.2.2.3节- EMI 无源器件)中进行了介绍。  寄存器设置的最接近描述是 RAMP_CTRL 寄存器(书籍0x00、第0x02页、addr 0x06)。  它具有2位用于 RAMP_FREQ、2位用于 RAMP_FREQ。  我找不到任何直接设置边沿速率或斜坡速率的寄存器。

谢谢。

Dave Smith

伊万

我们的铁氧体磁珠是一款具有0.09 Ω 直流电阻的180 Ω@ 100MHz 器件。  我们刚才发现的最大区别是铁氧体磁珠后的滤波电容器为0.1uF、而不是1nF。  我们用1nF 部件更换盖、体积保持不变。  额外的电容实际上会使体积变得更小。  起初、我想它会减慢边缘速度、但它必须会导致反馈/补偿网络出现问题。

我们计划移除 TAS2557输出上的铁氧体磁珠和电容。

感谢你的帮助。