[参考译文] OPA1656：噪声最低、SNR 最高配置。

您好、Chris。

应该使用哪种低噪声放大器？ OPA1656是合适的选择吗？

我应该选择单端还是差分配置？

您能否提供有关最佳发展方向的指导？

祝你一切顺利。

伊塔马尔·沙迈

硬件工程师

Exodigo。

尊敬的 Itmar：  

下面链接中的差分配置是否不适合您的应用？  如果不是、您可以考虑使用我应用手册中的单端配置。 您的传感器是单端传感器还是差动传感器？ 这将决定您需要的是单端输入还是差分输入。  

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1339939/ina849-the-lowest-noise-configuration-with-ina849-amp/5122001?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=%2520user%253A599515#5122001

选择 JFET 输入的主要原因是具有高输入阻抗和低电流噪声。 如果您决定单端输入适合您的应用、我推荐在分立式 JFET 之后使用双极放大器、例如 OPA202。 双极放大器往往具有较高的电流噪声和低电压噪声。 电流噪声是我们试图避免与高阻抗传感器相互作用的噪声。 与高源阻抗相互作用的高电流噪声会转换为额外的电压噪声。 您可以将双极放大器的前端替换为分立式 JFET、并受益于 JFET 后跟双极放大器的低电流噪声。 双极放大器现在将不会与传感器相互作用。  

此致、  

克里斯·费瑟斯通

感谢您的回答。

我的传感器是低频天线、我可以选择使用差分或单端配置。

关于您推荐的 INA849设计、我进行了测试、发现它不能实现最佳的 SNR 配置。 该测试涉及使用两个置于金属屏蔽层内的9V 电池、传输频率范围为1KHz 至250kHz。 仿真结果与实际测试期间观察到的结果不一致。

是否我的天线的 SPICE 模型不准确？

嘿、Itmar、  

很难说明为什么它们不会保持一致，但这令人惊讶。 天线模型可能不准确。 我的其他怀疑可能是 JFET 的偏置、超出共模输入电压或超出输出信号。  

当输入元件平衡和匹配时、差分信号受益于共模抑制。 JFET 的偏置可能会因元件容差而有所不同、在这种情况下、CMRR 可能会受到影响、具体取决于其偏置距离。  

 我的 JFE150EVM 和 JFE2140EVM 均已测量。 它们是单端输入和超低噪声。 相应的应用手册也与 EVM 一同提供、以了解理论说明。  

JFE150：

应用手册：  

https://www.ti.com/lit/an/slpa018/slpa018.pdf?ts = 1715354514721、ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FJFE150

EVM

 https://www.ti.com/tool/JFE150EVM

JFE2140

应用手册

https://www.ti.com/lit/an/sboa563/sboa563.pdf?ts = 1715330609473

EVM

https://www.ti.com/tool/JFE2140EVM#tech-docs

或者、您可以在具有单端输入的常规运算放大器增益配置中使用单个 JFET 运算放大器、例如 OPA145。  

https://www.ti.com/lit/ds/symlink/opa145.pdf

此致、  

克里斯·费瑟斯通

嘿、Itmar、  

以跟进我上次的回复。 当您在先前的 INA849博文中测试 INA 设计时、您是否确定了要测试的 PCB 布局？

此致、  

克里斯·费瑟斯通