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[参考译文] TAS2563:使用内部升压的内部升压电路的浪涌电流

Guru**** 1810440 points
Other Parts Discussed in Thread: TAS2563
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1430899/tas2563-inrush-current-of-internal-boost-circuits-at-using-internal-boost

器件型号:TAS2563

工具与软件:

请参阅下面的原理图。
PVDD 的电容非常高(220uF+10uF+22uF+等)  
AMP IC 的升压模式为"默认  升压模式"、升压电压为11V。   


在生产过程中、通常会出现一个缺陷、即 AMP IC 的 VBST 输出(内部升压电路)不输出。

是否因为 PVDD (VBST)去耦电容的电容过大而出现瞬时浪涌电流、导致内部 Boost 电路受损?

因此、为了减小浪涌电流、我考虑添加一个 D401 (肖特基二极管)。  

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    您好、Lee:

    是否无法改用 PVDD 电容? 您已经试过吗?
    为了实现稳定性、集成升压控制器需要一些电感和电容、因此最好使用大约20uF 的建议值。

    请注意、集成式升压稳压器应仅用于为 TAS2563放大器供电、不建议使用该升压稳压器为其他器件/电路供电。

    此致、
    伊万·萨拉扎尔
    应用工程师

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    感谢您发送编修  

    我的回复: 集成升压只用于为 TAS2563放大器供电。   

    我的附加问题:

    #1:PVDD 电容  增大(220uF 以上20uF)、即使使用内部升压、也能超过浪涌电流吗?
    由于 TI 的技术说明中描述 EVM 内的 D1 (肖特基二极管)不是必需的、因此在使用外部升压时是必需的。  

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    您好、Lee:

    您可以尝试添加肖特基二极管、不会造成伤害、而且这可能有助于应对浪涌电流、但我不能说它是否会解决这个问题、因为这不是传统的实现方式。
    我仍然建议通过测试来降低电容。

    此致、
    伊万·萨拉扎尔
    应用工程师