工具与软件:
请参阅下面的原理图。
PVDD 的电容非常高(220uF+10uF+22uF+等)
AMP IC 的升压模式为"默认 升压模式"、升压电压为11V。
在生产过程中、通常会出现一个缺陷、即 AMP IC 的 VBST 输出(内部升压电路)不输出。
是否因为 PVDD (VBST)去耦电容的电容过大而出现瞬时浪涌电流、导致内部 Boost 电路受损?
因此、为了减小浪涌电流、我考虑添加一个 D401 (肖特基二极管)。
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PVDD 的电容非常高(220uF+10uF+22uF+等)
AMP IC 的升压模式为"默认 升压模式"、升压电压为11V。
在生产过程中、通常会出现一个缺陷、即 AMP IC 的 VBST 输出(内部升压电路)不输出。
是否因为 PVDD (VBST)去耦电容的电容过大而出现瞬时浪涌电流、导致内部 Boost 电路受损?
因此、为了减小浪涌电流、我考虑添加一个 D401 (肖特基二极管)。