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器件型号：CC2340R5工具/软件：
尊敬的专家：
从数据表中可以看出、HFXT 的负载电容具有片上调优功能。 我对电容的精度很好奇。 我在数据表中没有找到相关的介绍。
根据我们的测试结果之一、一个板的电容为 6.7pF、另一个板的电容为 6.5pF。 6.5pF 板将不符合我们的内部测试规格 (10ppm)。
BR、
广文
工具/软件：
尊敬的专家：
从数据表中可以看出、HFXT 的负载电容具有片上调优功能。 我对电容的精度很好奇。 我在数据表中没有找到相关的介绍。
根据我们的测试结果之一、一个板的电容为 6.7pF、另一个板的电容为 6.5pF。 6.5pF 板将不符合我们的内部测试规格 (10ppm)。
BR、
广文
嗨、Zack、
我使用的是 TXC 8Y48072018、晶体 TS 典型值约为 27ppm/TXC pF。 您提到 3%的变化在限值范围内、您能否分享限值。 它可以帮助我们设置片上电容。 谢谢。
BR、
广文
嗨、Zack、
是的、我们也进行了类似的测试。 晶体元件的特性非常稳定；我已将测试结果放在下面供您参考。
在我们的板上安装晶体后、我们发现 PCB 板的负载电容不同、差异约为 0.2pF。
根据测试结果、它显示 0.2pF 负载电容差将导致大约 5.4ppm 的频移。 由于我们的晶体测试规格存在 10ppm 的漂移、因此某些器件 测试这次失败。
器件未大规模生产、我们只是构建几个样片来验证设计。
BR、
广文
嗨、Zack、
检查您已共享的链接。 我找到了可以在我们的应用中使用的 TXC 器件型号。
该规格似乎与我们现在使用的规格类似。(CL：7PF VS CL：8pF)
BR、
广文
嗨、Zack、
使用 TI 推荐的晶体 — TXC 8Y48072007 进行了测试、结果会显示出更多的频移 (>20ppm)。 我将结果放在下面供您参考。 为了适应该晶体、我们必须调整内部片上电容。
BR、
广文
