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器件型号：CC2541 你(们)好
在什么情况下可以更改闪存数据？ 例如电压、ESD 或其他东西的变化？
在闪存编程器的批量生产编程期间。 我们启用了块调试命令、但未启用写保护。
一段时间后发货到市场。 在此期间无编程和 JTAG 访问。
5Kpcs 中有2%的闪存被改变。 我们发现一个闪存页面全部更改为0xFF。 我们正在努力比较更多已更改的闪存数据。
是的、所有器件在重新编程后恢复正常工作。
关于项目3。 不符合电源参考设计指南
1.电源电压的纹波要求如何？ 数据表中未提及。 目前、我们测试的波纹为~800mV。
2.闪存的电源结构是什么？ 它是直接由 VDD 供电还是通过特殊的电源系统供电？ 谢谢。
器件型号：CC2541
继续上面的主题、 我们发现闪存数据在闪存编程器进行大规模生产编程期间很可能不符合我们的预期。
电源电压的最大纹波限制是什么？ 数据表中未提及。
目前、纹波电压为~800mV。 由5V 适配器供电-> 3、3V LDO、下面是纹波电压图。
2.要刷写的电源树是什么？ 它是直接由 VDD 供电还是通过特殊的电源系统供电？ 谢谢。
