工具与软件:
您好!
在 EVM 原理图中、我假设使用 L1和 C105来满足数据表第17页的要求" 7.4注意(2) VDDR 电压轨上需要一个10uH 和10uF 负载电容器。 它们应靠近直流/直流输出引脚放置。" 这对我们来说不是问题。
我们要检查的10 μ F 电容器放置位于数据表第18页、 "7.5注意(1)建议在 VDDR 引脚上使用10 µF 电容器。" 另外、我们应该在 RHB 封装上将这个10uF 的封装放在哪里? VDDR 引脚1还是 VDDR 引脚27?
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您好!
在 EVM 原理图中、我假设使用 L1和 C105来满足数据表第17页的要求" 7.4注意(2) VDDR 电压轨上需要一个10uH 和10uF 负载电容器。 它们应靠近直流/直流输出引脚放置。" 这对我们来说不是问题。
我们要检查的10 μ F 电容器放置位于数据表第18页、 "7.5注意(1)建议在 VDDR 引脚上使用10 µF 电容器。" 另外、我们应该在 RHB 封装上将这个10uF 的封装放在哪里? VDDR 引脚1还是 VDDR 引脚27?
James、
如第7.4节的注2所述、使用直流/直流输出时、需要包含一个10uH 电感器和一个10uF 电容器。
"7.4注意(2)在 VDDR 电压轨上需要一个10uH 和10uF 负载电容器。 它们应靠近直流/直流输出引脚放置。"
如果在设计中实现了此配置、则无需在设计中加入其他10uF 电容器。 但是、建议在 VDDR 引脚1和27附近放置一个0.1uF 电容器(每个引脚一个电容器)。
只有当设计中使用 GLDO 时、第7.5节才适用 、而不是直流/直流稳压器。 在此配置中、设计人员只需包含一个10uF 电容器、并且根据数据表表表6-1中引脚27的说明、该电容器应放置在 VDDR 引脚27附近。
此致、
Andrew