工具/软件：
尊敬的专家：
我的客户遇到了一个非常类似的问题。
他们在 自己的电路板上测试 TI 示例(串行闪存编程器+ C2000ware 中的示例和 APP)、并会看到如下所示的编程器错误。
但是、如果他们使用 C2Prog、则流程成功。
是否知道此处的问题可能是什么？
此致、
挂起。
您好 Alex、
我们已经完成了一些与相关主题类似的测试、如下所示。
-尝试使用与客户不同的内核。 仍然存在相同的 FMSTAT 01010错误、但地址为不同的0x8b940
-当故障发生时读取存储器,闪存已被擦除,但编程正确。 以下是在0x82000处发生故障时的映像
-由于 C2Prog 编程成功,在我们所关注的范围内应该没有故障的闪存单元。
-通过 Uniflash 成功加载应用程序(使用示例)。
这些测试应涵盖相关主题中的一些测试。
您能否分享 我们接下来需要确认/排除的内容？ 这将更有助于 分享目标或想法 、同时提供具体步骤、因为我们因时区而滞后。 如果您告诉我们目标、如果具体步骤不能实现、我和客户可以尝试以某种方式达成目标。 不过、 如果您 能提供一个具体步骤作为参考、不胜感激。
请注意、相关主题最终会在 FA 中出现、但我的客户之前已经执行了 FA。 (然后、问题是触发不可纠正的闪存 NMI。 该板是相同的那些今天测试) FA 认为它是垫裂纹问题. 他们转而发布没有焊盘裂纹问题的 PVC 产品、但仍有刷写设备的问题。
此致、
挂起。
您好 Hang、
对于 CCS 的后续步骤、我们是否通过以下方式确认操作：
1)将引导模式设置为0x815A (地址为0xD00)。
2)加载内核的符号
3)运行 CPU1目标
4)运行具有示例文件的串行闪存编程器(如果可以、Visual Studio 访问可能会有所帮助、执行 工程包含的.sln 文件 C2000Ware_5_04_00_00\utilities\flash_programmers\serial_flash_programmer\serial_flash_programmer.sln、 通过 Debug->Properties->Configuration Properties->Debugging->Command Arguments 添加参数等参数。) 示例如下图所示。
内核和应用的示例文件可以放置在此位置：
C2000Ware_5_04_00_00\utilities\flash_programmers\serial_flash_programmer\serial_flash_programmer
5)在 CCS 端、将存储器窗口打开并设置为 Continuous refresh 也将很有帮助、以查看新应用是否正在填充这些字段。
谢谢。此致、
Charles
