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[参考译文] TMS320F28377S:EMIF 读取周期性能-从内部闪存执行代码与从外部 SRAM 执行代码

Guru**** 2331900 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1508678/tms320f28377s-emif-read-cycle-performance---executing-code-from-internal-flash-vs-executing-from-external-sram

器件型号:TMS320F28377S

工具/软件:

在写入/读取内存测试期间、我们发现从读取失败 CS3上的外部异步存储器 。 我们针对 tsu 的时序(时序参数12)违反了15ns 的规格(参考文献1)。  我们的时间是不同的,有时是边缘和间歇性的,我们会检测到故障。 请参阅随附的屏幕截图。 我们读取的器件没有足够快地驱动数据线。 我们修复了器件、读取故障停止发生。 我们还通过增加 R_Setup (读取设置时间)来避免该问题。

这是我们从执行代码时发现的 外部 SRAM

但是、当从执行相同代码时 内部闪存 (当然没有上面提到的修正) 、  未发生故障。  两种情况下的时间是相同的。 随附屏幕截图。 我们在这两种情况下都违反了第12号。

从内部闪存执行代码时、是否有关于未发生故障的说明?  

提前感谢、

Paul

参考文献

TMS320F2837xS 7.9.9.3.1.1 EMIF 异步存储器时序要求

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    您好、 Paul:

    存储器器件的时序参数应满足 MCU 数据表中定义的 EMIF 要求。

    在非流水线模式下、闪存可支持零等待状态、最高 CPU 速度为50 MHz。 在具有三个等待状态的流水线模式下、闪存支持200MHz 的最大 CPU 时钟速度。 如器件数据表中所述、 大多数应用将从闪存运行、与从 RAM 执行的代码相比、效率约为80%。 我想这些现象可能与等待状态有关。