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部件号：TMS320F28379D 工具/软件：
您好：
由于与硅器件相比、SiC MOSFET 中的体二极管具有高正向电压、因此它会在开关和导通期间产生更多损耗。 与 IGBT 相反、 当栅极上提供正电压时、SiC MOSFET 可以传导从源极到漏极的反向电流。 在这种情况下、SiC MOSFET 从源极到漏极的压降比体二极管低得多。 这可用于降低损耗。 (同步接收、第三象限操作？)
C2000 Ware 中是否有应用手册或示例、如何在 TMS320F28379D 或类似器件中实现此功能来进行电机控制？
我认为这应该是电流信号和了解半桥开关状态的逻辑组合。 是否有办法将其纳入 ePWM 模块中 、或者是否是可配置逻辑块中的实现？
此致、
Johannes
