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[参考译文] TMS320F28027:如何有效组合存储器区域以优化.ebss 利用率。

Guru**** 2408620 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1532527/tms320f28027-how-to-combine-memory-regions-effectively-to-optimize-ebss-utilization

器件型号:TMS320F28027


工具/软件:

您好团队:  

我想将 DRAML0 和 PRAML0(L0-SARAM 存储器)分配给此.ebss部分。 如何有效地组合这些存储器区域以优化.ebss利用率? 我已附加当前内存分配状态以供参考—请建议一种利用可用内存的改进方法。

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    尊敬的 Ramya:

    我看到 DRAML0 为空并且可自由使用整个部分。

    我建议您增加 PRAML0 的大小、以便在 PRAML0 内容纳更多空间、从而缩短 DRAM 长度。

    谢谢

    Aswin

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    感谢 Aswin 我们解决了这个问题

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    上面提到的我可以增加我的数据内存,我们不会得到任何错误,但当运行使用的变量显示内存映射 (FYR) 图像下面附加.

    请参考指南。

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    尊敬的 Ramya:

    对延迟的回复表示歉意。 您是否仍面临这些问题?

    您能否再次添加表达式并检查是否仍然存在相同的问题?

    谢谢

    Aswin