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[参考译文] TMS320F2800157:无线 EFT 故障问题

Guru**** 2409930 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1538112/tms320f2800157-issue-of-wireless-eft-fail

器件型号:TMS320F2800157


工具/软件:

尊敬的专家:

我的客户是 在 F2800157 上执行无线 EFT、如下图所示:

产生脉冲的线圈垂直于卡

产生脉冲的线圈与卡平行

线圈内部的脉冲振幅为±3kV。  脉冲生成方法符合 IEC61000-4-4 标准。

线圈和卡之间的距离在 1cm 和 10cm 之间来回变化。 客户发现 、当线圈距离芯片 1cm 时、 CPU 将冻结并由看门狗复位。

对于此 EFT 是无线的、线圈和卡之间没有电接触、我有一些问题:

1.我们有这个芯片的辐射耐受性测试报告吗?

2.对于 这种情况,是否需要在芯片上添加金属屏蔽?  

3、BU 对此测试中芯片会冻结的原因有何建议?

PS:客户反馈、F28027 上的相同测试已通过。  28027 和 2800157 之间的芯片制造工艺差异是否与此问题有关?

谢谢、

Leo

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Leo、

    我将参考 DS 的这一部分、然后让客户交叉参考其 PCB 设计。  如果此表中列出的任何 GPIO 出现负电压(超出 DS 的规格)、则可能导致器件进入复位状态。  它不应保持复位状态、除非该电压持续存在。

    https://www.ti.com/document-viewer/TMS320F2800157/datasheet#GUID-D36A0056-3934-4395-AED2-9F3C2CCD1C14/TITLE-SPRSP45TOCWRAPPER_SPECIFICATIONS

    我还要指出此勘误表:  

    https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SPRZ507D#GUID-C88BE266-4E5C-4A5C-92B9-BE1871E199D9/TITLE-SPRZ466SPRZ4122012

    在这种情况下、客户还需要考虑这一点。

    如果 EMC 的耦合方式导致我们的 MCU 引脚超出规格、则上述所有问题都可能由 EMC 引起。   

    此致、

    Matthew

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Matthew、

    很抱歉耽误你的时间。 我花了一些时间与客户确认测试结果。
    我们发现 NMI 标志是一个 ECC 不可纠正的错误。 我认为、干扰可能导致 RAM 或闪存中出现多个位翻转。 客户报告说、上一代 C2000(如 F28027)可以通过此测试。 这是因为第三代 C2000 使用 65nm 工艺、该工艺的抗干扰能力比旧工艺弱?

    谢谢、

    Leo

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Leo、

    感谢此更新、我认为我们需要执行更多调试才能得出最终结论

    这可能是一个检测问题、而不是一个更稳健的过程。

    F28027 器件在包括 SRAM 在内的任何存储器上都没有 ECC 或奇偶校验保护。  因此、如果存在位翻转、除非它影响程序执行、否则无法检测它。  我认为、如果受到 EMC 测试的影响、可能是 SRAM、但我们需要验证地址

    1. 为 ECC 记录的 ECC 故障地址是否来自保存代码或数据的 RAM 或闪存地址?
    2. 它始终是相同的存储器地址或区域吗?

    假设这是一个稳健性问题、即 F28027 在 EMC 测试期间没有对其存储器产生任何影响、但 F280013x 有。

    请记住、F28027 中 F280013x 的内核电压为 1.2V 与 1.8V。  因此、如果 VDD 测试导致 MCU/内核电源上的噪声足够使电源电压下降、则我们可能会获得较小的裕度。  SRAM 仅由内核电源供电、因此上述存储器验证将告诉我们这是否是更可能的原因。  我不希望闪存像 SRAM 一样受到 VDD 的影响。

    1. 客户是使用内部 VREG 还是外部 VDD 电源?  
    2. 客户能否查看 EMC 测试期间的电源、看看测试期间是否有任何干扰导致电源超出规格?  
    3. 客户是否也可以对 PCB VDD 网络上去耦电容器的位置和尺寸进行评论?
    4. 客户是否可以对 XRSn 线路进行检查以确保其在 EMC 测试期间保持稳定?
    5. 客户可以评论 MCU 的时钟源、即使是内部振荡器、路由到 GPIO19 引脚的内容也是如此。

    此致、

    Matthew