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[参考译文] TMS320F28377S-Q1:休眠唤醒电路建议

Guru**** 2416710 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28377S

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1536733/tms320f28377s-q1-hibernate-wake-up-circuit-advise

器件型号:TMS320F28377S-Q1
Thread 中讨论的其他器件:TMS320F28377S

工具/软件:

您好、

我目前正在设计一个使用的设计 TMS320F28377S 微控制器。 功耗是我应用中的关键因素、因此我需要长时间将系统置于低功耗状态。 根据器件数据表、我发现了 Hib(休眠) 模式可显著降低功耗、非常适合我的用例。

根据文档、将器件从 HIB 模式唤醒需要 短暂的低电平脉冲后跟高电平 在上 GPIO41 (GPIOHIBWAKE) 引脚。 我想实现一个硬件电路、以简单、稳定和超低功耗的方式生成此唤醒信号。

我最初的想法是使用基本的 RC 电路 :当施加外部高电平信号时,它会通过一个串联电阻器连接到 GPIO41。  在 GPIO41 和 GND 之间连接一个 1 µF 电容器。 收到高电平信号后、电容器会缓慢充电、使 GPIO41 在短时间(由 RC 时间常数定义)内保持低电平、然后逐渐允许其上升至高电平。 这满足 HIB 唤醒要求。

虽然这种解决方案看起来简单实用、但我不确定它在不同温度条件下的长期稳定性和性能。 如果您能分享为实现更稳健或更节能的唤醒机制而提出的任何建议或替代电路理念、我将不胜感激。

提前感谢您的时间和支持。
期待您的宝贵意见。

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    你好,我在 LTspice 上尝试了这个电路.  启用了从休眠模式唤醒 MCU 的功能。

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    您好:

    使用基本 RC 电路的初始理念是一个很好的起点。

    以下是需要考虑的一些替代想法和建议:

    使用专用的唤醒 IC :有专门为唤醒应用设计的专用 IC。 这些器件能够以极低的功耗生成干净、精确的唤醒信号。
    实现电容器充电电路 :您可以使用电容充电电路来生成唤醒信号,而不是使用电阻电容电路。 该方法可以提供更稳定和更可预测的时序。
    唤醒电路来实现的 :设计一个使用计时器生成唤醒信号的电路。 这可以使用专用计时器 IC 或基于微控制器的解决方案来实现。 这种方法可以提供更准确、更可靠的时序。
    优化 RC 电路 :如果您仍然想使用 RC 电路,您可以优化其设计,以最大限度地降低功耗和提高稳定性。 使用较小的电容器值和较大的电阻器值。 对于电容器、请使用±0PPM/°C (NP0/C0G) 电容器、因为这些电容器在整个温度和输入频率方面的稳定性比其他类型的电容器更好

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    Hİ μ s、

    在我当前设计中、由于 NPO/COG 电容器具有稳定性和低温度系数特性、我遵循了您建议使用此类电容器。 我选择了 10nF 至 100nF 范围内的电容器。 我想确认该值范围是否被认为是通用时序或滤波应用的最佳选择、或者是否根据实际经验建议进行任何调整。 此外、在之前的建议中、您提到了如何实现电容器充电电路。 非常感谢您分享与此概念相关的示例或参考设计、尤其是适用于低功耗或精密模拟应用的示例或参考设计。

    提前感谢您的指导和支持。

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    您好:

    您为通用时序或滤波应用选择了良好的电容值范围。 不过、理想值取决于设计的具体要求、例如所需的时间常数、频率范围和额定电压。

    对于低功耗或精密模拟应用、10nF 至 100nF 之间的电容值是一个很好的起点。 以下是一些通用指南:

    • 对于低频应用(例如,HIB 模式唤醒)、容值较高的电容器(例如 100nF)可能更适合提供更长的时间常数和更稳定的输出。
    • 对于高频应用、容值较低的电容器(例如 10nF)可能更适合提供更快的响应时间和更准确的时序。