[参考译文] 闪存内核 — CAN 引导 ROM

您好：

您能解释一下该示例中的“无法导入“含义吗？如果您执行 File >> Import Project 并导航至 can_flash_kernel_c28x_dual_c28x1、CCS 会抛出错误吗？ 您能否就您也使用的 CCS 和 C2000ware 版本发表评论？

此致、

Delaney

你（们）好

也可以将其他工程导入工作区并进行处理。 但是、当我尝试导入时 F28P65x 的闪存内核 、但未成功导入。
我已经在中尝试了该方法 CCS v12.8.0 和 CCS v20 、但问题仍然存在。

请提供任何信息 flash_kernel 示例代码 中的示例 F28P65x MCU ？

此外、将新固件写入闪存后、在哪里确切地执行 引导模式更改 发生在闪存内核中？（我们需要再次将引导模式更改为闪存引导... CAN 引导仅需要升级）。

我的应用程序大小大于 256KB 、所以我需要使用多个闪存库。
如果我们按如下所示进行配置、闪存内核是否会自动处理多个闪存组的编程？

uint32_t USD[5] Application_Flash_Banks =｛0、1、2、3、4｝；//取自 flash_kernel_ex5_can_flash_kernel.c

您好：

这是我在尝试导入到 CCS 12.8.1 中该文件夹时看到的内容：

您是否确定 C2000ware 中的 flash_kernel/文件夹没有损坏？ 另请注意、CCS 只能导入一个具有特定名称的工程、如果 工作区中已有一个具有匹配名称的工程、则需要对 其进行重命名。

我将请引导加载程序专家协助您解决其他问题。

此致、

Delaney

您好：

如果我们按如下所示进行配置、闪存内核是否会自动处理多个闪存组的编程？

uint32_t USD[5] Application_Flash_Banks =｛0、1、2、3、4｝；//取自 flash_kernel_ex5_can_flash_kernel.c
[/报价]

是的,在调用 DCAN_Boot () 时结合设置 numBanksToErase 参数来配置此变量将在编程开始时擦除这些闪存组,并允许您在多个闪存组之间进行编程。

此致、

Alex