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[参考译文] F29H85X-DOC-EVM:SOM 内核 1 刷写问题

Guru**** 2612355 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1575281/f29h85x-som-evm-core-1-flashing-issue

器件型号:F29H85X-EVM-EVM SOM


工具/软件:

当我加载 MCU_CORE1 程序时、会收到以下错误消息:

C29xx_CPU1:闪存编程期间出现错误。 由于为闪存编程操作提供的地址无效、因此未发出编程命令。 提供的地址为 0xFFFFFFFF
C29xx_CPU1:尝试编程到此存储体模式之外的地址。
C29xx_CPU1:请确保在闪存编程之前已编程正确的存储体模式。
C29xx_CPU1:文件加载程序:内存写入失败:未知错误
C29xx_CPU1:GEL:文件:C:\Users\Desktop\MCU-main\MCU_Core1\flash\MCU_Core1.out:加载失败。
文件:C:\Users\Desktop\main\MCU_Core1\flash\MCU_Core1.out:加载失败。

原因可能是什么?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Mohammad:

    根据工程名称、这似乎是您创建的工程。 您能否尝试从 SDK 刷写程序、以确认您的硬件或设置没有问题?

    您的器件当前采用哪种存储体模式? 可以通过读取 SSU_GEN_REGS 寄存器中 BANKMODE 寄存器的值来检查 BANKMODE。

    此致、

    Marlyn