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[参考译文] TMS320F280039:低温下内部下拉电阻行为差异

Guru**** 2584515 points
Other Parts Discussed in Thread: LM2901, TMS320F280039

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1576745/tms320f280039-internal-pull-down-resistance-behavior-difference-in-low-temperature

器件型号:TMS320F280039
主题中讨论的其他器件:LM2901

工具/软件:

客户报告内部下拉电阻值在低温下看起来有很大差异、他们按如下所示进行测试、请帮助学员回顾一下是否有意义?

以下是其电路、LM2901 通过二极管 DA125 输出到 F280039 IO(信号标记为 12VOVP_GLBLE)、IO 中带有启用内部下拉的外部电容 (1nF)。

LM2901 在开始时输出高电平、以便电容充电、然后 LM2901 输出低电平、以便电容通过 IO 内部下拉电阻放电。

1、  在 25°C 正常温度下、在 1 秒内从高电平到低电平读取 IO 状态

2、  在–40°C 低温下,读取 IO 状态从高到低>15 秒

3、  在–40°C 低温下、在 IO 中添加外部 20K 下拉电阻、从高电平到低电平<1 秒读取 IO 状态

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好:

    客户的结果很有意义、并且与器件在不同温度下的行为保持一致。

    TMS320F280039 上的输入引脚没有定义的内部下拉电阻值。 拉电阻器件 kΩ MOSFET 实现、其有效电阻可能存在很大差异(通常为几十 k Ω)、具体取决于工艺、电源和温度。 您可以从此处的表中计算正常温度下的电阻:

    在低温(−40°C) 下)下、内部拉电阻会显著增加(由于载波移动性降低)、从而导致下拉电流弱得多。 因此、外部 1nF 电容器放电非常缓慢、输入电压下降到输入阈值以下需要更长时间、从而解释了 15s 延迟。

    当添加外部 20kΩ 下拉电阻器时、RC 时间常数由该电阻器而不是内部弱电阻器主导、从而恢复正常的放电速率 (<1s)、如所示。

    为了在整个温度范围内实现可靠的放电行为、建议使用外部下拉电阻、而不是依靠内部上拉电阻。  内部下拉主要用于静态条件下的逻辑偏置、而不用于电容节点放电。 或者、如果无法使用外部下拉电阻、则可以减小电容值。

    此致、

    Masoud