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[参考译文] TMS320F280049C:配置为数据存储器的闪存中的数据写入会导致校验和发生变化

Guru**** 2614895 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1582017/tms320f280049c-data-write-in-flash-memory-configured-as-data-memory-causes-change-in-checksum

器件型号:TMS320F280049C


我们正在存储 MODE 选择 从另一微控制器接收的数据。 原因 EEPROM 不可用 ,我们利用 BANK0_SECTOR13 使用内部闪存进行替代。

  • 配置 : BANK0_SECTOR13 在中配置 页面:1. AS 数据存储器
  • 闪存操作 :我们使用 闪存 API 库 测试 擦除 写入 持续时间。
  • 存储器保护 DCSM(双代码安全模块) 保护的范围 程序存储器 而不是 SECTOR13。

但是、当运行期间模式被写入 SECTOR13 时、 固件校验和 会根据存储的值而变化。 这样可得到 具有不同的校验和值 之间的差异。

是否有任何可能的方法可以将永久闪存位置配置为在不改变校验和变化的情况下进行读取和写入?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    对延迟的回复表示歉意。

    1.您能否确认校验和是如何计算的?  计算的存储器范围校验和是多少?

    2.此外,每次写入时模式选择值会发生变化?  

    此致、

    Rajeshwary