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[参考译文] TMS320F280039:关于闪存数据损坏的数据表警告的说明

Guru**** 2615645 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1579758/tms320f280039-clarification-about-datasheet-warning-of-flash-data-corruption

器件型号:TMS320F280039


您好:

我正在使用 FAPI 库对基于 F28003x 的器件中的某些闪存进行现场编程。 我注意到数据表中存在以下警告:

“闪存编程期间的欠压事件可能会损坏闪存数据并永久锁定器件。“ (SPRSP61C、第 6.5.1 节)

我想确保我了解此处的风险。 以下哪项是正确的:

1.闪存编程期间的欠压事件会导致发生部分写入/擦除、这将导致在欠压期间被擦除/编程的存储器区域发生 ECC 故障、这种情况可以通过重新编程或来恢复

2.闪存编程期间的欠压事件可能会导致无法恢复的 ECC 故障,或者除被擦除/编程的区域外的闪存损坏

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    尊敬的 Evelyn:

    我们不能表征发生欠压事件时器件会发生什么情况。 这意味着、闪存数据可能不受影响、可能会发生部分写入/擦除、或发生正在擦除/编程内容之外的区域损坏。 在器件向 TI 发货之前、我们不会检查/测试该行为。 本应用手册已添加为用户注意事项、即在闪存编程期间电力应保持稳定、并避免欠压事件、因为它们可能会影响闪存数据。  

    此致、

    Marlyn

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    谢谢 Marlyn、这很清楚。