Other Parts Discussed in Thread: XDS110ISO-EVM
器件型号: F29H850TU
主题中讨论的其他器件: XDS110ISO-EVM
工具/软件:
我有一个 XDS110ISO-EVM、我一直成功使用并连接到目标、用于刷写 F29H850TU9 而不会出现问题。 在某个时候,我试图闪存,得到下面的错误,和错误一直显示在每次闪存尝试。
C29xx_CPU1:闪存编程期间出现错误。 由于为闪存编程操作提供的地址无效、因此未发出编程命令。 提供的地址为 0xFFFFFFFF
C29xx_CPU1:尝试编程到此存储体模式之外的地址。
C29xx_CPU1:请确保在闪存编程之前已编程正确的存储体模式。
C29xx_CPU1:文件加载程序:内存写入失败:未知错误
C29xx_CPU1:GEL:文件:C:\Desktop\Project_MCU_Core1\flash\Project_MCU_Core1.out:加载失败。
文件:C:\Desktop\Project_MCU_Core1\flash\Project_MCU_Core1.out:加载失败。
使用相同 F29H850TU9 型号时、同一.out 构建在不同的工作台上成功闪烁。
采取的步骤:
1.将无法闪烁的设置中的 F29H850TU9 替换为新的 F29H850TU9、显示相同的错误。
2.开箱两个新的 XDS110 调试器,由于以下错误消息“SEC_AP_C29:连接到目标时出错:(错误–2064 @ 0xD)无法读取设备状态。 重置器件、然后重试此操作。 如果错误仍然存在、请确认配置、对电路板进行下电上电、和/或尝试更可靠的 JTAG 设置(例如下 TCLK)。 (仿真包 20.3.0.3656)。“
3.循环电源几次并降低 TCLK 直到达到最低可用频率。
4.已将 XDS110 调试器与工作台的调试器交换、能够连接到目标、但得到了以粗体表示的相同无效地址错误。
5.在每次测试设置过程中循环使用几次电源。
6.在 0-1-2-3 之间手动更改存储体模式。
对这两个问题有何建议?
谢谢、
Mohammad Jana

