[参考译文] TMS320F2800132：无法写入 TMS320F2800132 闪存数据

尊敬的 Marlyn：

感谢您的答复。我阅读了您提到的帖子,其中描述的问题与我遇到的情况不同。 我检查了 280013x_generic_flash_lnk.cmd 文件、并发现它中的闪存定义未超过 64KB 范围。 此外、I SET 的范围未超过 0x88000。 这是一个现象、请参考。 根据我的理解、如果无法写入闪存、它应显示 0xFFFF。 但是、在我写入数据、然后在相应地址读取内容后、显示的值为 0x0000 而不是 0xFFFF。 单独的擦除验证是精细的、但写入有一个异常。 280013x_generic_flash_lnk.cmd 的内容如下。

移动数据
｛
/*ram0~RAM1：2kW = 4KB：0x00000000~0x00000800*/
//RAMM0：origin = 0x00000000、长度= 0x00000400
//RAMM1：origin = 0x00000400、length = 0x00000400
RAMM01：origin = 0x00000000、长度= 0x00000800
/*RAMLS4~RAMLS7：8KW = 16KB：0x0000A000~0x0000BFFF*/
//RAMLS4：origin = 0x0000A000、长度= 0x00000800
//RAMLS5：origin = 0x0000A800、长度= 0x00000800
//RAMLS6：origin = 0x0000B000、长度= 0x00000800
//RAMLS7：origin = 0x0000B800、长度= 0x00000800
RAMLS4567：origin = 0x0000A000、长度= 0x00002000
/*RAMGS0：8KW = 16KB：0x0000C000~0x0000C7FF*/
RAMGS0：origin = 0x0000C000、length = 0x00000800
/*BootROM:64KW:0x003F0000~x003F FFFF*/
BootROM：origin = 0x003F0000、长度= 0x00008000
BootROM_EXT：origin = 0x003F8000、length = 0x00007FC0
重置：origin = 0x003FFFC0、length = 0x00000002
/*闪存扇区*/
/*组 0 */
// begin：origin = 0x080000、length = 0x000002 /* code flash begin */
// FLASH_BANK0_SEC0：origin = 0x080002、length = 0x000FFE /*片上闪存*/
// FLASH_BANK0_SEC1：origin = 0x081000、length = 0x001000 /*片上闪存*/
// FLASH_BANK0_sec2：origin = 0x082000、length = 0x001000 /*片上闪存*/
// FLASH_BANK0_SEC3：origin = 0x083000、length = 0x001000 /*片上闪存*/
// FLASH_BANK0_SEC4：origin = 0x084000、length = 0x001000 /*片上闪存*/
// FLASH_BANK0_SEC5：origin = 0x085000、length = 0x001000 /*片上闪存*/
// FLASH_BANK0_SEC6：origin = 0x086000、length = 0x001000 /*片上闪存*/
// FLASH_BANK0_sec7：origin = 0x087000、length = 0x001000 /*片上闪存*/
#if 0
begin：origin = 0x080000、length = 0x000002 /* code flash begin */
FLASH_BANK2T6_SEC：origin = 0x080002、length = 0x006FEE /* App Flash */
IAP_HEADER：origin = 0x086FF0、length = 0x000010 /* ISP Header*/
FLASH_BANK7_SEC：origin = 0x087000、length = 0x001000 /* EEPROM 闪存*/
#else
begin：origin = 0x082000、length = 0x000002 /* code flash begin */
FLASH_BANK2T6_SEC：origin = 0x082002、length = 0x002DEE /* App1 闪存*/
FLASH_BANK01_SEC：origin = 0x080002、length = 0x001FFE /* boot Flash */
IAP_HEADER：origin = 0x084DF0、length = 0x000010 /* ISP Header*/
FLASH_BANK5T7_SEC：origin = 0x085000、length = 0x002DF0 /* App2 闪存*/
IAP_HEADER1：origin = 0x087DF0、长度= 0x000010 /* ISP Header1*/
BOOT_KEY：origin = 0x087E00、length = 0x000200 /* EEPROM Flash*/
#endif
DCSM ZSEL_Z1_P0：原点= 0x078008、长度= 0x000002
dcsm_ZSEL_Z1_P1：原点= 0x07800C、长度= 0x000002
}

很重要
｛
codestart :> begin, align(8)
.text：> FLASH_BANK2T6_SEC、ALIGN (8)
.cinit：> FLASH_BANK2T6_SEC、ALIGN (8)
.switch：> FLASH_BANK2T6_SEC、ALIGN(8)
.reset：> reset、type = DSECT /*未使用、*/

.stack :> RAMM01

.init_array：> FLASH_BANK2T6_SEC、ALIGN (8)
.bss :> RAMLS4567.
.bss:output :> RAMLS4567
.bss：CIO：> RAMLS4567
.const：> FLASH_BANK2T6_SEC、ALIGN (8)
.data :> RAMLS4567.
.sysmem :> RAMLS4567.

ramgs0 :> RAMGS0
// IAP_BHeader :> IAP_Header , align(8)
/*分配 IQ 数学区域：*/
IQMath :> RAMLS4567
IqmathTables :> RAMLS4567.

.TI.ramfunc：load = FLASH_BANK2T6_SEC、
RUN = RAMLS4567、
LOAD_START (RamfuncsLoadStart)、
load_size (RamfuncsLoadSize)、
LOAD_END (RamfuncsLoadEnd)、
RUN_START (RamfuncsRunStart)、
RUN_SIZE (RamfuncsRunSize)、
RUN_END (RamfuncsRunEnd)、
对齐 (8)
dcsm_zsel_Z1_1：> dcsm_ZSEL_Z1_P0
dcsm_zsel_Z1_2：> dcsm_ZSEL_Z1_P1
}
/*
//==============================================================================
//文件结尾。
//==============================================================================
*/

请建议链接器文件有问题、Pls 帮助解决问题。

此致、

Xin

尊敬的 Marlyn：

我有一个 2800137 LaunchPad。 使用 SDK 参考代码将其编程到 2800137 板上可以成功完成。 但是、当我将 SDK 参考代码的频率更改为 100MHz 并将其编程到产品 (2800132) 时、无法成功写入。 同样、当我将自己工程代码的频率更改为 120MHz 并将其编程到 LaunchPad (2800137) 时、也无法正确写入。 我已经尝试了改变到不同的部门,但现象仍然一样。请帮助我检查配置是否有任何问题。Pls 帮助解决问题。谢谢。

此致、

Xin

您好 Xin、

您是否能够用 SDK 中的示例重现此问题？ 如果可以使用已知的软件基础、则在我这边重现它会容易得多。 我认为链接器命令文件中提供的范围没有任何问题。

但是、当我将 SDK 参考代码的频率更改为 100MHz 并将其编程到产品 (2800132) 时、无法成功编写。

您能介绍一下如何更改频率吗？

此致、

Marlyn

尊敬的 Marlyn：

我以 100MHz 的频率重新修改了 SDK 参考代码、并将其烧录到 2800132 芯片上。 它能够正常写入数据。 似乎我在以前的修改中犯了一个错误。 当前的问题是、当我将代码更改为与参考代码相同并将其烧录到 2800132 芯片时、它编写的数据与我预期的完全不符 0000。 下面是我从参考代码中删除不必要的部分后的代码。 当我将该内容烧录到 2800132 芯片时、能够正常地写入数据。

e2e.ti.com/.../demo_5F00_code.c

这是我的代码。 我将其修改为与 SDK 参考代码相同、但无法编写预期值。

e2e.ti.com/.../my_5F00_code.c

我的配置是否有问题？ 请帮助我指出。 谢谢！

此致、

Xin

您好 Xin、

只需确认、您正在使用同一个物理 F2800132 器件加载演示代码和您的代码？ 我对您共享的两个文件进行了比较、唯一的区别是、在演示中、主代码函数是 void main ()、就像在您的代码中一样、它是 int main ()。 这不会导致您遇到的问题。 您是否在加载这两个程序之间执行任何其他操作、例如重启电源？ 此外、如果您查看 CCS 中的存储器内容、其与 UniFlash 的显示内容是否一致？

此致、

Marlyn

尊敬的 Marlyn：

感谢您的回复。我已确定闪存写入异常的原因。 在参考代码中、数组“缓冲区“的地址定义为 0x0000A000、其长度为 0x00001FF8、如下所示。

在我的代码中、数组“缓冲区“的地址定义为 0x0000C000、其长度为 0x00000800。 所示。

修改“缓冲区“地址后、闪存可以正常写入数据。 我已验证数据长度未超出范围。 这两个地址之间是否有区别？ 为什么在 0x0000C000 范围内的数据被视为异常？ 谢谢你。

此致、

Xin