Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH
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器件型号： F29H850TU
Thread 中讨论的其他器件： UNIFLASH
尊敬的 TI 团队：
我们正在开发基于 C2000 F29 器件的控制器、需要用到 存储体模式 2 才能启用 CPU1/CPU3 闪存 访问。
我们的预期生产流程如下：
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在生产中、我们计划使用 UniFlash 命令行 要实现流程自动化、请执行以下操作：
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对进行编程 引导加载程序 （在 CPU1 上运行）
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更改 存储体模式 从 0 到 2
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。 Application“ 稍后阶段由的引导加载程序进行编程 CPU1/CPU3 。
我知道存储体模式更改将生效 进行下电上电后才恢复 。 -
我们在 A 上观察到一种行为 新设备 我们不清楚：
将存储体模式更改为 2 时、似乎必须对存储体模式进行编程 两次 才能使更改生效。
观察到的测试过程：
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打开 UniFlash（9.4 版）
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选择 存储体模式 2
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单击 对 BANKMGMT 进行编程 （操作成功完成）
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对器件执行下电上电
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读取地址处的存储体模式 0x10D80010
之后 首次下电上电 、读取的值为 0x3 （存储体模式 0）。
仅在执行之后 再次对 BANKMGMT 进行编程 、然后再次开机、在中执行该值 0x10D80010 更改为 0x9 （存储体模式 2）。
是否预计会出现这种行为？
必须在新芯片上对存储体模式进行两次编程才能使更改生效是否正常？
感谢您的支持。
此致、
Eyal Saban
