器件型号: F29H85X-EVM-EVM SOM
大家好!
我需要澄清一些有关 TI 示例的信息:
我在 led_ex1_blink 示例中找到了以下用于从 RAM 引导的代码。
C:/ti/ccs2040/ccs/tools/compiler/ti-cgt-c29_2.0.0.STS/bin/c29objcopy.exe -O binary led_ex1_blinky.out led_ex1_blinky.bin
$(call IF_EQUAL_OPEN, 1, 0) $(PYTHON) C:/ti/f29h85x-sdk_1_02_01_00/tools/boot/signing/mcu_rom_image_gen.py --image-bin led_ex1_blinky.bin --core C29 --swrv 1 --loadaddr 0x200E1000 --sign-key C:/ti/f29h85x-sdk_1_02_01_00/tools/boot/signing/mcu_gpkey.pem --out-image led_ex1_blinky_cert.bin --device f29h85x --boot RAM --img_integ no $(IF_EQUAL_CLOSE)
$(call IF_EQUAL_OPEN, 1, 1) C:/ti/f29h85x-sdk_1_02_01_00/tools/misc/$(UPDATEDUMMYCERT) $(DUMMY_CERT_RAM) led_ex1_blinky.bin $(IF_EQUAL_CLOSE)
$(call IF_EQUAL_OPEN, 1, 1) $(CONCAT) $(DUMMY_CERT_RAM) led_ex1_blinky.bin > led_ex1_blinky_cert.bin $(IF_EQUAL_CLOSE)
- 为什么加载地址为 0x2010E000?在闪存配置中、加载地址为 10001000、这是代码起始地址。
- 为什么我们需要在 RAM 配置中生成证书。 是否仅闪存配置需要此功能?
- 即使在生成证书后、也没有编译后步骤来将其与可执行文件合并、就像在 CPU1 中针对闪存配置所做的那样?
2) 我也尝试在 RAM 配置的 CCS 中运行多核示例



