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[参考译文] TMS320F28P650DK：EMIF 的 SysConfig 消息

admin
Guru**** 2794765 points

Other Parts Discussed in Thread: SYSCONFIG

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1621152/tms320f28p650dk-sysconfig-message-for-emif

器件型号： TMS320F28P650DK
主题： SysConfig 中讨论的其他器件

尊敬的团队：

我的客户询问我如何使用 SysConfig 实现 EMIF。
客户希望使用 EMIF 与 FPGA 进行异步模式、16 位总线通信。 以下是客户的配置；
-使用 C2000 SDK
-添加 EMIF1,只有 CS3 被启用。 CS0、CS2、CS4 已禁用
-字大小= ASRAM/FLASH 具有 16 位数据总线
-地址总线 MSB = EM1A7
-启用扩展等待=禁用
- Pinmux 用例=自定义
-如下所示使用的针脚

客户的问题是 DQM0、DQM1 和 RnW 存在一些消息“Non-required pin enabled“。 特别是对于 DQM0/1、此消息似乎未按照 TRM 第 1774 页的图 11-10 处理。 为什么会出现这种按摩？ 客户在此用例中不需要使用 DQM？

谢谢、
Wasa 信彦

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    TI__Guru**** 2794765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    RnW（读取/写入）和 DQMs（字节使能）都是可选的。 16 位异步接口的 BA[1]用于连接到存储器地址[0]。  

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    TI__Guru**** 2794765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 QJ：

    您是否认为应该使用 RnW 和 DQMs、具体取决于通过 EMIF 连接的器件？

    谢谢、
    Wasa 信彦

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    TI__Guru**** 2794765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    这 取决于所连接的存储器。  对于典型的异步 EMIF 配置（例如与异步 SRAM 或 NOR 闪存的连接）、通常需要 DQM（字节使能）、而通常不需要 RnW（读取/不写入）。

    DQMS：  如果您正在执行字节写入（例如，向 16 位存储器写入 8 位）、则必须正确地将字节使能 (DQM) 置为有效以防止覆盖相邻字节。

    许多 EMIF 使用专用的读取使能 (nOE) 和 写入使能 (nWE) 、而不是单个 RnW 引脚。