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[参考译文] TMS320F280039C:将值存储在闪存中

Guru**** 2874300 points

Other Parts Discussed in Thread: TMS320F280039C, C2000WARE

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1632383/tms320f280039c-store-value-in-flash

器件型号: TMS320F280039C
主题: C2000WARE 中讨论的其他器件

当我使用 TMS320F280039C 作为驱动程序的控制器时,我有两个字母:

1 驱动器将输出一个~20ns 的脉冲到 F280039C(在 PCB 上会有大约 12 个驱动器)每 2us 重复,你能告诉我哪组 GPIO 可以检测到一个~ 20ns 的脉冲 ( VOH 3.3V , VOL 0V)  

2 在 F280039C 收到这个脉冲后,假定它可以检测到它,它将被计数到内部计数器(我想存储在 RAM 中)。 由于板上有 12 个驱动器、RAM 中将存储 12 组数据。  每隔 5 分钟左右,我们就可以擦除三个闪存库中的一个,并在 RAM 仍在运行时将计数数据从 RAM 存储到闪存中。 再过 5 分钟后、将擦除闪存并使用 RAM 中的最新内容覆盖闪存。 有人告诉我有一个 EEPROM 仿真器将闪存视为 EEPROM。 但我不确定这是否是“第 2 代“C2000 器件。 即使它不是和 EEPROM 仿真器是不能使用,我仍然可以使用 ram->闪存来存储我的数据,这理解是正确的吗?

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    尊敬的 Floyd:

    1 驱动程序将向 F280039C 输出~20ns 的脉冲(PCB 上会有大约 12 个驱动程序)每 2us 重复一次、您能告诉我哪组 GPIO 可以检测到~ 20ns 的脉冲 (VOH 3.3V、VOL 0V)
     

    JC:所有 120MHz 都能够检测持续时间至少为 1 个 SYSCLK 周期的脉冲(对于 F28003x、1 个 SYSCLK 周期为 1/SYSCLK 或 8.333nS)、因此 GPIO 可以检测到至少为 20ns 的脉冲。

    2 在 F280039C 收到此脉冲后,假设它可以检测到它,它将被计数到内部计数器中(我想存储在 RAM 中)。 由于板上有 12 个驱动器、RAM 中将存储 12 组数据。  每隔 5 分钟左右,我们就可以擦除三个闪存库中的一个,并在 RAM 仍在运行时将计数数据从 RAM 存储到闪存中。 再过 5 分钟后、将擦除闪存并使用 RAM 中的最新内容覆盖闪存。 有人告诉我有一个 EEPROM 仿真器将闪存视为 EEPROM。 但我不确定这是否是“第 2 代“C2000 器件。 即使它不是和 EEPROM 模拟器不能使用,我仍然可以使用 ram->闪存来存储我的数据,这种理解是正确的吗?[/报价]

    JC:是的,你基本上可以像 EEPROM 一样对待一部分闪存。  有一个应用手册介绍了如何在第 3 代器件上执行此操作。  请参阅以下链接: SPRADE8B

    此致、

    Joseph

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    感谢您提供有关问题 1 的详细信息。  

    对于问题 2、这是否需要将其他库导入设备/IDE? 或者,我只需使用默认设置来实现这一目标“将 Flask 的一部分像 EEPROM“。  

    对这个简单的问题表示歉意。 我对 MCU 应用不是很熟悉  

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    您好、Floyd、

    别担心。  闪存组上的 EEPROM 仿真需要闪存 API 库和头文件、而这已经包含在 C2000Ware 软件包中。  如果您看一下 SPRADE8B 应用手册中的示例、则闪存 API 库和标头都包含在该工程中、还说明了如何对闪存中的扇区进行编程/擦除。  如果您在闪存中运行代码并在对闪存中的数据进行编程之前暂时将 RAM 中的 GPIO 切换次数记录为暂存区、则需要计划主代码中有哪些扇区以及用于记录 GPIO 切换数据的扇区。  所有这些都在应用手册示例中进行了说明。

    此致、

    Joseph