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[参考译文] TMS320F28P650DK:MCAN 引导加载程序超时规格

Guru**** 2855850 points

Other Parts Discussed in Thread: C2000WARE

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1637807/tms320f28p650dk-mcan-bootloader-timeout-specification

器件型号: TMS320F28P650DK
主题: C2000WARE 中讨论的其他器件

您好、

我想知道 MCAN ROM 引导加载程序的超时是多少? 技术手册似乎表明 RAM 引导加载程序基于 ROM 引导加载程序、RAM 引导加载程序指出第一条消息的超时为 2 秒、随后的消息的超时为 11ms(在代码中注释)。

 

在测试期间、我以 4ms 的间隔发送数据、引导加载过程会失败。 我还使用 send_test 模式进行了测试(我认为该模式具有无限超时并发送两条测试消息)、可以可靠地使用它。

 

我修改了 RAM 应用程序代码(非 SEND_TEST 模式)、以在 readMsg 函数之前将输出驱动为高电平、在其超时之后将输出驱动为低电平。 我的测量值似乎略低于规定的 2 秒、明显低于规定的 11ms、我的测量值约为 2ms。 我相信我可以满足第一个消息超时标准、但却难以满足较低的后续消息超时。

你能否确认:-

  • F28P65x 上的第一条消息和随后的消息超时?
  • 如 SPRUJH3 (Page41)- C2000 微控制器上的引导加载入门中所述、每条消息之间是否需要 100ms 的延迟? 100ms 超时似乎未包含在主机 PC 峰值示例中  
  • SEND_TEST 和 NORMAL 模式之间的唯一区别是消除了超时并发送两条测试消息

提前感谢、

 

Andrew

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Andrew、

    我建议查看 C2000Ware 中的 MCAN ROM 引导加载程序源代码: “C2000Ware_26_00_00\libraries\boot_rom\f28P65x\rev0\rom_source\cpu1\F28P65x_ROM\bootROM\source\bootloader_mcan.c"</s>“

    这将有助于解决您的大多数问题:

    每条消息之间是否需要 100ms 的延迟、如 SPRUJH3 (Page41)- C2000 微控制器上的引导加载入门? 100ms 超时似乎不包含在主机 PC 峰值示例 

    100ms 睡眠时间在 C2000Ware_26_00_00\utilities\flash_programmers\can_flash_programmer\can_flash_programmer\include\f021_DownloadImage.h 中定义

    我非常熟悉 MCAN 闪存内核的实现(编写该闪存的人员不再是 TI 的人员)、但 ROM 引导加载程序只能对 RAM 进行编程、因此内核与 ROM 引导加载程序具有不同的时序要求。 闪存编程(由闪存内核完成)将需要更长的时间、因此增加了延迟。

    SEND_TEST 与 NORMAL 模式之间的唯一区别是删除超时并发送两条测试消息

    是的、正确。  

    此致、
    马特