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[参考译文] C2000WARE-DIGITALPOWER-SDK：适用于次级侧 MOSFET 的 PSFB 同步 PWM 生成功能

admin
Guru**** 2895430 points

Other Parts Discussed in Thread: TMS320F280049C, PMP23126, C2000WARE-DIGITALPOWER-SDK

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1645469/c2000ware-digitalpower-sdk-psfb-synchronous-pwm-generation-for-secondary-side-mosfets

器件型号： C2000WARE-DIGITALPOWER-SDK
主题中讨论的其他器件： TMS320F280049C、 PMP23126、 C2000WARE

image.png

 

您可以在 TI E2E C2000 论坛上发布以下内容：

尊敬的 TI 专家：

我正在使用 TMS320F280049C controlCARD / LaunchPad 来生成 PWM、设计相移全桥 (PSFB) 直流/直流转换器。

作为参考、我遵循 TI 应用报告：

使用 C2000 微控制器实现 PSFB 控制 (SPRABR1)

在我的设计中、变压器次级侧使用同步整流 MOSFET（类似于应用报告中所示的 Q5 和 Q6）。 我将 MATLAB/Simulink 与 C2000 Microcontroller Blockset 一同使用、用于 PWM 生成和代码生成。

image.png

目前、我难以为次级侧 MOSFET 生成同步 PWM 信号。 初级侧相移 PWM 生成工作正常、但我需要有关在 Simulink 中正确实现 F280049C SR PWM 逻辑的指导。

我的问题是：

  1. 在 F280049C 上为 PSFB 生成同步整流器 PWM 信号的推荐方法是什么？

  2. 是否应该对通过 TBPHS/同步链实现同步的 SR MOSFET 使用单独的 ePWM 模块、以及对生成的 PWM 进行死区时间控制？

  3. 是否有任何 TI 示例项目、参考代码或 Simulink 模型可用于 PSFB 拓扑中的次级侧 SR PWM 生成？

  4. 是否可以仅使用 ePWM 同步来高效实现这一点、或者是否也建议使用 CLB？

  5. 使用 C2000 Simulink Blockset 实现此目的时、是否有任何具体注意事项？

我还检查了以下 TI 参考资料：

任何指导、波形生成方法或示例配置都会非常有用。

谢谢、
Mayank Kumar

  • 0
    TI__Guru**** 2895430 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Mayank：
    PMP23126 也是一种相移全桥参考设计。 Digital Power SDK 中提供了 Matlab 文件。 您可以参考此 designPMP23126参考设计| 德州仪器 TI.com
    Digital Power SDK 中提供了该解决方案。
    谢谢
    Praneeth

  • 0
    TI__Guru**** 2895430 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好 Praneeth  

    感谢您的快速回复... 在您提到的给定路径中、我无法看到任何 Simulink 文件

    如果可能、请在此处分享可下载的链接

    谢谢  

    Mayank

  • 0
    TI__Guru**** 2895430 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Mayank：
    您可以在 C：\ti\c2000\C2000 Power_SDK\solutions\pmp23126\matlab 中找到 Simulink 文件 Ware_Digital
    您可以在此处下载 Digital Power SDK C2000WARE-DIGITALPOWER-SDK 软件开发套件 (SDK)|德州仪器 TI.com
    谢谢
    Praneeth

  • 0
    TI__Guru**** 2895430 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好 Praneeth  

    获得了相关文件、但需要阐明 Q5 和 Q6 的 PWM 生成逻辑。 具体而言、我需要以下方面的支持：

    • 应如何在 PSFB 拓扑中生成次级侧 MOSFET (Q5 和 Q6) 的同步 PWM。
    • 次级 PWM 应如何与初级侧 PWM 同步。
    • 次级 MOSFET 之间的死区时间实现。
    • 死区时间是否应根据初级侧相移或变压器电流方向进行跟踪/适配。

    谢谢

    Mayank

  • 0
    TI__Guru**** 2895430 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Mayank：
    我明白了。 我将在明天结束时回到您的身边。  
    谢谢
    Praneeth

  • 0
    TI__Guru**** 2895430 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Mayank：
    根据您显示的图、此设计有两种生成 SR 脉冲的方法。 一个是 SR 脉冲只有在初级半桥之间重叠时才会导通。 其次、SR 不会仅在重叠期间执行操作。 因此、SR 脉冲的生成完全取决于初级半桥之间的相移。
    在模式 1 中、当检测到 Q1 的下降沿时、Q5 开始导通、当检测到 Q3 的上升沿时、Q5 停止导通。
    在模式 2 中、当检测到 Q3 的下降沿时、Q5 开始导通、当检测到 Q1 的上升沿时、Q5 开始导通。
    这可以通过多种方式实现。 如果正在实现 PCMC、则可使用跳闸信号通过动作限定器的 T1、T2 操作使 Q5 导通。 使用比较子模块 Q5 可以关闭
    Q6 可以遵循类似的过程。
    死区时间取决于体二极管特性和变压器电流方向。 一旦确定了这些死区时间、就可以使用死区子模块来实现单独的死区时间。 如果无法实现自适应死区时间、则需要根据负载电流实现近似的固定死区时间。  

    谢谢
    Praneeth