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[参考译文] TMS320F28P650DK:电流消耗规格与内部 VREG 间的关系

Guru**** 2952510 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1651636/tms320f28p650dk-current-consumption-spec-vs-internal-vreg

器件型号: TMS320F28P650DK

我在理解数据表中的“VREG 启用“与“VREG 禁用 — 外部电源“规格时遇到问题(SPRSP69D–2023 年 7 月–2025 年 8 月修订)。

如果我正确了解内部电源架构、VDDIO (3.3V) 为内部 VREG 供电、该 VREG 在启用后可为 VDD 提供 (1.2V)。  此外、我知道内部 VREG 是线性稳压器。

似乎当启用 VREG 时、IDDIO (在外部测量)应该是内部 IDDIO (用于 IO 和其他用途)+ IDD (从 VREG 到内核)的总和。

当禁用 VREG 并使用外部 VDD 时、IDDIO + IDD 应与 启用 VREG 时的总 IDDIO 大致相同。

我明白、当禁用 VREG 并使用外部稳压器时、芯片的总功率下降、这是合理的。

我不明白为什么使用外部 VDD 稳压器时 1.2V 电源的电流似乎会增加--这是不合常理的。

您能解释一下为什么以这种方式编写该规范吗?  下面提供了数据表两个方面的示例。

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  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Andy:

    此主题的专家目前不在办公室、请预计回复会延迟。

    此致、

    Delaney

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    Andy、

    感谢您指出、这是这些在没有 TI 背景的情况下不直观显示的参数之一。

    在使用稳压器的实现方式、LDO 类型/源自 VDDIO 电源方面、您是正确的。

    总电流中的断开来自 VDD 最大值的差异、当 VREG 打开/关闭时、器件将看到该差异。

    当 VREG 被禁用时、电流被列为 IDDmax;出现在 DS 中的 VDD 最大值规格下、电压为 1.32V。

    当 VREG 启用时、内部 LDO 会进行修整、使其以 1.2V 为中心;但在整个 VDDIO 范围内、它不会在整个容差范围内摆动、即使这是允许的。  

    因此、消耗的电流更接近于模拟 VDD = 1.2V 的电流;因此、与禁用 VREG 的情况下 IDDIO + IDD 相比、这种情况下会产生更低的总体 IDDIO 最大值。

    此致、

    Matthew