[参考译文] TMS320F28379D：采集数据后写入失败、并在外部复位时进入 ITRAP

您好：

在深入探讨之前、一些详细信息有助于进一步完善这一点：

• 到底是什么不能写入？ 您是在运行时调用闪存 API、还是指应用程序的初始闪存编程？
• 配置了什么引导模式？ 如果您要引导至闪存、应用程序的 codestart 是否位于闪存入口点？

此致、
马特

当我使用 XRS 按钮执行外部复位时、我的数据无法写入闪存。  
我正在使用 memcpy (&RamfuncsRunStart、&RamfuncsLoadStart、(size_t)&RamfuncsLoadSize)；从 RAM 运行闪存 API。

我不知道为什么会发生这种情况。

对于第二个问题、我想是的。

您好：

如果您还没有、请将您的工程与 C2000Ware 中提供的闪存编程示例进行比较： C2000Ware_26_00_00\device_support\f2837xd\examples\dual\flash_programming

对于第二个问题、我猜是的。

请 100%确认 情况属实。 我还将尝试模拟引导至闪存（通过将 0x00000B5A 写入 0xD00、即 EMU_BOOTCTRL 寄存器）并重置器件。 然后、您可以逐步完成引导流程和应用程序、以查看 ITRAP 发生的位置。

此致、
马特

它会第一次写入数据。 但是、如果我第二次尝试、它会进入 ITRAP、因为擦除失败。 因此、我执行了空白检查以进行确认。 是的、即使函数返回成功结果、擦除失败。 空白检查还会返回一个不擦除数据地址的值。 明确表明擦除功能失败的扇区是从开始的。 如果我不执行空白检查,它会在写入闪存时进入 ITRAP。

您好：

如果您尚未开始、请将您的项目与 C2000Ware 中提供的闪存编程示例进行比较： C2000Ware_26_00_00_00\device_support\f2837xd\examples\dual\flash_programming

复位时某些内容不能正确初始化。 有关如何执行闪存操作的建议、请参阅此示例和 F2837xD 闪存 API 指南。

此致、
马特

我跟随了这个例子。。。 它现在是工作的.. 但如果我再次修改、即使在内存窗口中看到新值、它也会读取较旧的值。 您能帮我解决这个问题吗？

您好：

",="" roboto,="" arial,="" sans-serif;="" font-size:="" 16px;="" font-weight:="" 400;="" margin:="" 0px;="" text-decoration:="" none;="" border-bottom:="" 0px="" rgb(230,="" 232,="" 240);"="">过时读取（更新闪存后读取旧/ 缓存数据）几乎总是由闪存预取和数据缓存引起。 当通过 API 写入闪存阵列时、流水线控制器没有收到通知、因此它继续直接从缓存中提供数据或旧代码。

请使用 Fapi_flushPipeline () 刷新 FMC 数据缓存。 在进行擦除或编程操作后、必须在读取第一个非 API 闪存之前刷新数据高速缓存。

资料来源： https://www.ti.com/lit/ug/spnu629/spnu629.pdf

此致、
马特