[参考译文] F29P329SM-Q1：内存中变量的对齐要求是什么&#39？

您好、Shuqing、

要将数据成功编程到闪存、数据必须至少为 64 位对齐。

您问题的关键是代码片段：“这样指令位置在要提取的 256 位范围内“----即闪存访问始终为 256 位对齐、但指令不一定与同一边界对齐。

此致、

Alex

您好 Alex、

感谢您的答复,仍然有以下问题:

1.下面的理解是正确的:对于指令, 256 位对齐不是必须的,但如果会影响代码执行效率?

2.结构变量 包含  布尔变量的对齐方式是什么? 总结构变量是否应该 8 字节 alignmenter每个布尔变量是否应该 8 字节对齐？

3. RAM 的对齐要求是什么? 客户发现堆栈也需要 8 字节对齐。 如果它不是 8 字节对齐、中断将消失

BRS

Shuqing

Shuqing

[quote userid=“610907“ url=“~/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1652452/f29p329sm-q1-what-s-the-alignment-requirement-for-the-variable-in-memory/6386164 以下理解是否正确：对于指令、256 位对齐不是必须的、但如果会影响代码执行效率？

每次从闪存存储器获取指令时总共读出 256 位----从交错组对的每一半读出 128 位。 从闪存访问的起始地址自动对齐到 256 位边界、以便指令位置在待获取的 256 位范围内。

我邀请了另一位专家回答 2 和 3。

此致、

Alex

您好、

存储器启动器 — CPU 可按字节寻址、并可生成 8/16/32/64 位写入访问。  所有 RAM 都具有 32 位粒度的 ECC 保护

在 MEMSS 存储器控制器中、对 8 位和 16 位写访问在本地执行读取 — 修改-写入操作。

请参阅 TRM 中“系统控制“一章的“存储器控制器“一节

谢谢