器件型号： F29H850TU
我使用程序“flash_mode0_128_program“进行仿真、然后停止运行并再次开始仿真。 出现以下错误。
C29xx_CPU1：在使用闪存插件执行任何闪存操作之前：
C29xx_CPU1：(a) 请选择将用于 CPU 操作的存储体模式 — 存储体模式 0、存储体模式 1、存储体模式 2、存储体模式 3。
C29xx_CPU1：(b) 请选择用户希望在闪存插件 GUI 中擦除闪存插件的闪存组。
C29xx_CPU1：将数据加载到.out 文件中的 SECCFG 内存区域时、可以选择要使用的选项
C29xx_CPU1：警告 — 擦除 SECCFG 将擦除可编程 OTP、请谨慎继续（器件可能会被锁定）。
C29xx_CPU1：仅在必要时启用 NonMain 扇区擦除。
C29xx_CPU1：对 NonMain BANKMGMT 设置进行编程以设置存储体模式时、请检查闪存存储体模式选择
C29xx_CPU1：在恢复操作之前、用户配置设置中将与设置模式匹配。
C29xx_CPU1：对 BANKMGMT 进行编程后、必须通过 XRSn 将器件复位以启用新配置。
C29xx_CPU1：注意：加载多核闪存示例时、请在编程之前确保器件处于正确的存储体模式。
C29xx_CPU1：存储体模式 2 和存储体模式 3 可用于多核闪存编程。
C29xx_CPU1：正在复位目标...
C29xx_CPU1：已完成目标复位...
C29xx_CPU1：为 200MHz 配置了 PLL
C29xx_CPU1：写入 INIT 算法时出错。 闪存算法返回错误代码。 操作已取消。
C29xx_CPU1：文件加载程序：内存写入失败：未知错误
C29xx_CPU1：GEL：文件：C：\Users\M00023883\workspace_ccstheia\led_test\flash\led_test.out：加载失败。
