[参考译文] CCS/TMS320F2812：闪存目标需要很长时间

米歇尔，

您将在下面找到一些问题和提示！

1. 闪存设备需要20分钟，还是也包括构建项目？
2. 您说您的代码是86 MB ... 假设您的C项目，因为F2812的闪存大小比它小得多，我的理解是否正确？
3. 加载仅RAM项目需要多长时间？
   
   1. 如果闪存和RAM都很慢，请检查JTAG TCLK频率是否设置为1.0MHz。 我们不建议将其从1.0MHz更改。
      1. 双击目标配置以将其打开。 1.单击高级；2.单击"Texas Instruments XDS100v1 USB Debug Probe_0"；3.检查JTAG TCLK频率是否设置为1MHz
   2. 如果 闪存编程仍然很慢，您还应检查闪存设置。
      
      1. 检查闪存设置1.右键单击目标配置并选择属性；2. 单击"F2812 Flash Settings"(F2812闪存设置)；3.检查OSCLK和PLLCR。
         
         1. OSCLK与硬件相关，但您可以调整PLLCR。

此致，
科迪

您好，Cody：

感谢您详细的回答。 我将尝试回答您的问题：

1.只刷新设备需要20分钟。 但是，我今天又做了一次，现在 只花了7分钟。

2.是的，我想我在那里说的是废话。 在闪存过程中，我看到：.text: 3.2752万 of 8.3314万 at 0x3d8000 (德州仪器(TI) XDS100v1 USB Emulator_0/C28xx)，所以我认为它是8.3314万 KB (甚至误读了83)，但我猜那是83 KB？

3.我尚未尝试加载RAM项目。 实际上，我不知道我需要做些什么来改变这个项目。 我想我必须将EZdspTMS320F2812_ROM_lnk.cmd (从外部供应商示例文件中获得)更改为F2812_eZdsp_RAM_lnk.cmd (我使用的是eZdsp评估板)并更改跳线设置。  我认为我还需要更改代码中的某些内容，对吗？

1. JTAG TCLK 频率也设置为1.0 MHz

2.闪存设置也相同(OSCLK=30 MHz和PLLCR=10)。 我认为这意味着内部频率变为30x10/2=150 MHz对吗？ 我认为这已经是最高的设置。

所以我想我还需要看看我需要做些什么才能将代码加载到RAM中。 我还必须指出，奇怪的是 ，今天的闪光速度加快了。

此致，Michiel。