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部件号：TMS320F2.8027万 主题：controlSUITE中讨论的其他部件
大家好，我在F2.8027万中遇到了擦除闪存的问题。
我使用了controlSUITE的示例项目"F2.8027万_FLASH_KERNEL_"，并修改了.cmd文件，使项目加载到flashA。
在项目中，有如下代码：
状态= Flash_Erase((sectora | sectorb | SECTRC | SECORD)，&FlashStatus);
每次CPU执行到此行时，它都会进入“非法陷阱向量”。
如果我将代码更改为
状态= Flash_Erase((sectorb | SECTRC | SECORD)，&FlashStatus);
它将正常运行。
1.但是我已经复制了代码在RAM中运行，所以我不知道为什么在擦除闪存sectora时，它会进入 “非法陷阱向量”。
2.在“ 非法陷阱矢量”多次出现后，我现在无法将新项目编程到设备中。 当我使用片上闪存工具擦除闪存sectorA/B/C/D时，CCS将在控制台窗口中显示以下错误(我确定设备已解锁，因为我可以使用片上闪存工具解锁设备)。 所以我想知道这是不是因为擦除闪存sectora失败。
C28xx：正在擦除闪存...
C28xx：闪存编程器：擦除闪存时出错。 擦除扇区A时出错
C28xx：闪存编程器：擦除闪存时出错。 擦除扇区B时出错
C28xx：正在擦除闪存...
C28xx：耗尽恢复已开始。
C28xx：闪存操作期间发生错误：执行FlashAPIInterface2802xV2_00.out时等待目标停止超时
C28xx：闪存编程器：执行耗尽恢复时出错。 等待算法完成时闪存操作超时。 操作已取消。
