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部件号：TMS320F2.8377万D 主题中讨论的其他部件：C2000WARE
您好，
我们正在尝试使用 320F2.8377万D EMIF1以尽可能高的频率运行10ns SRAM( ISSI IS64WV2.5616万BLL-10CTL )。 考虑到EMIF时钟可以 设置为与CPU时钟相等， 这是200MHz，我们希望达到大约20 ns的读/写周期，但 在我们的定制设计 的主板上，NEM1CS3，NEM1WE和NEM1OE信号需要大约50ns，以便从3.3V切换到低于0.4V的逻辑“0”，而上升边缘则需要大约相同的电流。 为了确保SRAM能够检测到正确的低电平(< 0.4V)，我必须将RSTROBE和WSTROBE设置为11 (55ns)，这比我们预期的要慢得多。
在我们的主板上，硬件设计人员使用33欧姆串联，所有控制，地址和数据线连接DSP和SRAM，最长的轨迹是关于4 cm。
为了进行比较，我尝试在F2837x controlCARD v 1.3 板上运行C2000Ware_1_00_01_00\device_support\f2837xd\examples中2837中提供的"emif1_16bit_asram_CPU0"项目(实际上没有将SRAM连接到DSP)，并注意到没有任何负载的 NEM1CS3， NEM1WE和NEM1OE信号需要大约35-40ns才能从高到低切换，同样需要从低到高。
除了添加信号缓冲器之外，是否可以加快320F2.8377万D外部存储器接口的速度？
非常感谢，
多鲁
