请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
部件号：TMS320F2.8379万D 主题中讨论的其他部件：C2000WARE
尊敬的支持人员：
正如我从F021闪存编程API V. 1.54 文档和API示例中了解到的那样，可以使用 Fapi_issueProgrammingCommand函数对最多8个字进行编程。
我写了一个小程序来评估F2.8379万D微控制器上的闪存API的功能。
该程序基于从C2000Ware 1.00 ．01.00 获取的两个CPU的flash_programming示例。
基本上，代码初始化闪存(即闪存API)，擦除即将编程的闪存扇区，并对API函数Fapi_issueProgrammingCommand和Fapi_doVerify执行树对调用。
第一次调用Fapi_issueProgrammingCommand时，将为缓冲区长度参数传递值8。 编程和验证工作正常。
在对函数Fapi_issueProgrammingCommand的下一个(第二个)调用时，将为缓冲区长度的参数传递值6。 编程和验证工作正常。
在对函数Fapi_issueProgrammingCommand的第三次和最后一次调用时，将为缓冲区长度的参数传递值8。 编程失败并显示错误Fapi_Error_DatabBufferLength。
我的问题是：是否有任何解决方案可以应用，以便能够在后续调用中对具有不同长度的缓冲区进行编程？ 对我来说，似乎只能用8作为缓冲区的长度。
我已随附文件，代码为：
