[参考译文] TMS320F2.8379万D：ePWM模块中死区和作用限定符的意外行为

托比亚斯，

您应该能够使用方法二来形成互补波形。

很抱歉，我看图表时，对您设备的配置和执行状态了解不够。 是否可以在系统中调试设备？ 我建议在比较器跳闸之前读取PWM配置，出现错误。 您是否在第一次比较器跳闸后设置PWM配置的其余部分？

尝试删除代码的比较器部分并正确配置PWM，请注意，如果在完全配置之前打开PWM，您将获得奇怪的输出。  

此致，
科迪  

Cody，

我的代码基于驱动程序库的cmps_ex1_asynch示例代码。 主菜单如下所示：

void main (void)
｛
device_init()；
DEVICE_INITGPIO ();
interrup_initModule()；
interrupT_initVectorTable();


sysctl_disablePeripheral (sysctl_Periph_CLK_TBCLKSYNC)；
InitPWMGPI();
InitEPWM1();
sysctl_enablePeripheral (sysctl_Periph_CLK_TBCLKSYNC)；

InitCMP1();

EINT；
ERTM；

同时(1)
{
}
} 

initCMP1代码与上面的代码完全相同。 InitPWM代码与上述代码相同，并启用了一个附加中断：

ePWM_enableInterrupt (EPWM1_BASE)；
ePWM_setInterruptSource (EPWM1_BASE，ePWM_INT_TBCTR _U_CMPC)；
Interrupt_enable (INT_EPWM1)；
Interrupt_register (INT_EPWM1， &ISRPreControlTask)；
ePWM_setInterruptEventCount (EPWM1_BASE，1)；
ePWM_clearEventTriggerInterruptFlag (EPWM1_BASE)；
Interrupt_clearACKGroup (interrupT_ACK_Group3)； 

中断代码看起来是

__interrupt void ISRPreControlTask (void)
{

rampstart =__fmin(rampstart + DVID，__fmax(rampstart, rampstartef))；
rampstart =__fmax(rampstart - DVID，__fmin(rampstart，rampstartref)；cmpss_trisetruptw_uspbase

(rampbase)


interrupT_clearACKGroup(interrupT_ACK_Group3);
} 

我将代码加载到C2000并启动它。 之后，我在CCS的表达式窗口中将rampstartref设置为6万，中断将Cmpss1Regs.RAMPMAXREFS的值从0线性增加到6万。

附件中是源代码。 由于硬件我使用controlCARD检测站R 4.1 ，因此示波器连接到引脚49，51 (PWM)和63 (CMPoutput)。 此外，1V电源连接到引脚15 (Ain2)。

e2e.ti.com/.../cmpss_5F00_ex1_5F00_asynch.c

我还尝试将InitCMP1移到InitEPWM1上方。 这不会改变任何内容。

增加rampmaxref之前ePWM寄存器的内容是：

TBCTL	0x0010	时间基础控制寄存器[内存映射]	
TBCTL2	0x0000	时间基础控制寄存器2 [内存映射]	
TBCTR	0x03E4	时间基础计数器寄存器[内存映射]	
TBSTS	0x0003	时间基础状态寄存器[内存映射]	
CMPCTL	0x0000	计数器比较控制寄存器[内存映射]	
CMPCTL2	0x0000	计数器比较控制寄存器2 [内存映射] 	
DBCTL	0x000B	死带发生器控制寄存器[内存映射]	
DBCTL2	0x0000	死带发生器控制寄存器2 [内存映射]	
AQCTL	0x0000	Action Qualifier控制寄存器[内存映射]	
AQTEL SRCS0x0003		操作限定器触发事件源选择寄存器[内存映射]	
PCCTL	0x0000	PWM Chopper控制寄存器[内存映射]	
HRCNFG	0xHR0000	内存注册器[内存映射 Mapped]	
HRPWR	0x0000	HRPWM功率寄存器[内存已映射]	
HRMSTEP	0x0000	HRPWM MEP步进寄存器[内存已映射]	
HRCNFG2	0x0000	HRPWM配置2寄存器[内存已映射]	
HRPCTL	0x0000	高分辨率期间控制寄存器[内存已映射]	
TRREM	0x0000	转换器高分辨率余数寄存器[内存已映射]	
GLDCTL	0x0000	全局负载控制寄存器[内存 已映射]	
GLDCFG	0x0000	Global PWM Load Config Register [已映射内存]	
EPWMXLINK	0x0万	ePWMx Link Register [已映射内存]	
AQCTLA	0x0012	输出A的操作限定符控制寄存器[已映射内存]	
AQCTLA2	0x0001	输出A的附加操作限定符控制寄存器[已映射内存]	
AQTLB	0x0000	操作限定符控制寄存器[内存 Mapped]	
AQCTLB2	0x0000	Additional Action Qualifier Control Register for Output B [Memory Mapped]	
AQSFRC	0x0000	Action Qualifier Software Force Register [Memory Mapped]	
AQCSFRC	0x0000	Action Qualifier Action Qualifier Continuous S/W Force Register [Memory Mapped]	
DBREDHR	0x0000	Dead-Band Generator Rising Edge Delay High Resolution Mirror Register [Memory Mapped]	
DBRED	0x0064	Dead-Generator Rising Band Rising 边缘延迟高分辨率镜像寄存器[内存映射]	
DBFEDHR	0x0000	死带发生器下降边缘延迟高分辨率寄存器[内存映射]	
DBFED	0x0064	死带发生器下降边缘延迟计数寄存器[内存映射]	
TBPHS	0x0万	时间基准相位高[内存映射]	
TBPRDHR	0x0000	时间基准期间高分辨率寄存器[内存映射]	
TBPRPRPRPRD 	0x0411	时间基准期间寄存器[内存映射]	
CMPA	0x02BC0000	计数器比较寄存器[内存映射]	
CMBB	0x0万	比较B寄存器[内存映射]	
CMPC	0x0320	计数器比较C寄存器[内存映射]	
CMPD	0x0000计数	器比较D寄存器[内存映射]	
GLDCTL2	0x0000	全局PWM负载控制寄存器2 [内存映射]	
TZSEL	0x0000 	跳闸区域选择寄存器[内存映射]	
TZDCSEL	0x0400	跳闸区域数字比较器选择寄存器[内存映射]	
TZCTL	0x0000	跳闸区域控制寄存器[内存映射]	
TZCTL2	0x0000	附加跳闸区域控制寄存器[内存映射]	
TZCTLDCA	0x0000	跳闸区域控制寄存器数字比较A [内存映射]	
TZCTLDCB	0x0000	跳闸区域控制寄存器 数字比较B [内存已映射]	
TZEINT	0x0000	跳闸区域启用中断寄存器[内存已映射]	
TZFLG	0x0040	跳闸区域标志寄存器[内存已映射]	
TZCBCFLG	0x0000	跳闸区域CBFLG	
	0x0000	跳闸区域OST标志寄存器[内存已映射]	
TZCLR	0xCC0000	跳闸区域清除寄存器[内存已映射]	
TZCCLR	0xCC0000 	跳闸区域CBC清除寄存器[内存映射]	
TZOSTCLR	0x0000	跳闸区域OST清除寄存器[内存映射]	
TZFRC	0x0000	跳闸区域强制寄存器[内存映射]	
ETSEL	0x004C	事件触发器选择寄存器[内存映射]	
ETPS	0x0010	事件预刻度寄存器[内存触发器]	
ETFLG	0x0000	事件触发器标志寄存器[内存映射]	
ETCLR	0x0000事件映射[Memory Mapped] ETCLR 0x0000 	事件触发器清除寄存器[内存映射]	
ETFRC	0x0000	事件触发器强制寄存器[内存映射]	
ETINTPS	0x0001	事件触发器中断预刻度寄存器[内存映射]	
ETSOCPS	0x0000	事件	
			
		触发器SOC预刻度寄存器[内存映射] ETCNTINITCTL 0x0000事件触发器初始化控制寄存器[内存映射] ETCNTINIT 0x0000事件触发器计数器初始化	
	计数器[DCT0DFFR 	比较行程选择寄存器[内存映射]	
DCACTL	0x0000	数字比较A控制寄存器[内存映射]	
DCBCTL	0x0000	数字比较B控制寄存器[内存映射]	
DCFCTL	0x0000	数字比较滤波器控制寄存器[内存映射]	
DCCAPCTL	0x0000	数字比较捕获控制寄存器[内存映射]	
DCFOFFSET	0x0000	数字比较滤波器偏移寄存器[内存 Mapped]	
DCFOFFSETCNT	0x0000	Digital Compare Filter Offset Counter Register [内存已映射]	
DCCFWINDOW	0x0000	Digital Compare Filter Window Register [内存已映射]	
DCCFWINDOWCNT	0x0000	Digital Compare Filter Window Counter Register [内存已映射]	
DCCAP	0x0000	Digital Compare Counter Capture Register [内存已映射]	
DCAHTRIPSEL	0x0000	Digital Compare Trip Select [内存已映射DCALIPTR0000 Digital Compare [内存已映射] DCALIPTR0000 	
		数字比较AL跳闸选择[内存映射]	
DCBHTRIPSEL	0x0008	数字比较BH跳闸选择[内存映射]	
DCBLTRIPSEL	0x0000	数字比较BL跳闸选择[内存映射] 	

托比亚斯，

1. 检查您是否正确接收来自比较器的信号。 这可以通过将输出导至引脚并使用示波器进行观察来实现。
2. 重新阅读并验证跳闸区域设置。 请注意，即使您仅使用需要将其他行程(CBC，OSHT，DCxEVTy)操作配置为"不执行任何操作"的行程之一，也需要配置所有行程区域设置。 有时，人们忘记配置一个较高优先级的事件，这会导致奇怪的结果。

此致，
科迪  

您好，Cody：

1.上面的最后一个示波器画面显示比较器1的输出(蓝色曲线)。 分割屏幕的底部显示放大的迹线。 当比较器的负输入远低于比较器正输入的1V时，输出将永久高。 当负极输入略高于1V时，补偿输出将在较小的期间内变为低电平。 在这两种情况下，PWM在PWM循环开始时都不会变低。

2.跳闸区域未使用。 所有功能均被禁用

TZSEL      0x0000 禁用所有单触发和CBC跳闸源

TZDCSEL  0x0400 DCBH =高，DCBL =不在乎，所有其他都被禁用

TZCTL      0x0000 高阻抗，但不应有任何区别，因为事件在TZSEL寄存器中被禁用

未     启用TZCTL2 0x0000 TZControl 2

TZCTLDCA 0x0000 高阻抗，但不应有任何区别，因为事件在TZSEL寄存器中被禁用

TZCTLDCB 0x0000 高阻抗，但不应有任何区别，因为事件在TZSEL寄存器中被禁用

TZEINT     0x0000 未启用中断

将TZCTL，TZCTLDCA和TZCTLDCB从高阻抗更改为不执行任何操作后，将出现反转EPWM1B。

第一个问题已解决。 现在EPWMB在所有情况下都是EPWMA的补充。 为什么即使未启用行程来源，TZCTL设置也会有所不同？

剩下的问题是，当比较器输出为永久高时，为什么操作限定符T1不工作？

此致，
托比亚斯

您好，Cody：

我确实了解使用跳闸区域强制PWM降低的想法。 这按预期工作，并已在早期DSP版本中使用。 这有一个缺点，即在外部生成死区。 由于您改进了ePWM模块，我渴望尝试使用操作限定符的新概念。 这会带来更大的灵活性，因为我可以使用内部死区，并且可以通过软件进行调整。

现在回到问题。 我检查了寄存器，唯一的区别是TZCTL，TZCTRLDCA和TZCTRLDCB寄存器，因为我将它从高阻抗更改为什么都不做。

您是否能够在主板上重现该问题？

此致，
托比亚斯

托比亚斯，
我无法重现您的问题，能否附上您的项目？

此致，
科迪

¨您好，Cody，

请在附件中找到项目代码。

此致，
Tobiase2e.ti.com/.../cmpss_5F00_ex1_5F00_asynch.rar

托比亚斯，

您的实施已接近尾声。 您需要配置DCA和DCB，以使用跳闸区域强制PWM低电平。 下面的代码应该可以帮助您。

//设置数字比较
// TRIP4 -> DCBH
ePWM_enableDigitalCompareTripCombinationInput (EPWM1_BASE，
ePWM_DC_combinational_TRIPIN4，
ePWM_DC_TYPE_DCBH)；
ePWM_enableDigitalCompareTripCombinationInput (EPWM1_BASE，
ePWM_DC_combinational_TRIPIN4，
ePWM_DC_TYPE_DCAH)；

// DCBH -> DCBEVT2
ePWM_setTripZoneDigitalCompareEventCondition (EPWM1_BASE，
ePWM_TZ_DC_OUTPT_B2，
ePWM_TZ_EVENT_DCXH_LOW)；
ePWM_setTripZoneDigitalCompareEventCondition (EPWM1_BASE，
ePWM_TZ_DC_OUTPT_A2，
ePWM_TZ_EVENT_DCXH_LOW)； 

此致，
科迪  

您好，Cody：

我尝试了你的建议。 除了DCB事件之外配置DCA事件不会有任何区别。 从我对《技术参考手册》的理解看，它不应该起作用。

在此要明确的是，只要斜坡启动值高于比较器的负输入，ePWM模块就会按预期工作。 问题仅在比较器输出永久高电压时出现。 对我来说，它看起来不是配置问题，因为在正常操作中它的工作方式与预期的一样。它是否是芯片中的一个错误？

您是否可以在主板上重现该行为？

此致，
托比亚斯

托比亚斯，

我能够获取您的代码并按我的预期运行。

这是否正确？ 当引脚小于1V时，比较处于活动状态，这应导致所有PWM强制低电平。 如果比较值高于1V，则应启用PWM并开始输出信号。

我能够使用我以前提供的代码行来使用此代码。 然后，我可以将电压源连接到比较器的引脚，PWM将根据该电压启用和禁用(强制低电压)。

此致，
科迪  

您好，Cody：

让我快速解释两个测试案例：

案例1：
-将1V电源连接至比较器引脚(控制卡对接站上的引脚15)
-在DSP上加载代码并运行
-在表达式窗口中加载rampstartref变量
-将rampstartref值设置为2.5万
PWM1A输出(控制卡坞站上的引脚49)的占空比为~Ω 15 %。 PWM1B (控制卡坞站上的引脚51)是PWM1A的反向信号。 我添加了测试的范围截图作为参考。

此案例按预期工作。 一切都好。

CASE2：
-准备与在case1中设置不同rampstartref值的期望相同
-将rampstartref值设置为1.5万
比较器输出为永久高，因此PWM1A输出的占空比应为0 %。 情况并非如此。 我看到67 % 的占空比。 这是因为比较A值设置为700，并将占空比限制为67 %。

我必须添加/修改哪一行代码，以便在案例2中PWM是0 % ？

此致，
托比亚斯

您好，Kris

我喜欢实施峰值电流模式控制。 在CTR =0上，PWM应设置为高，当比较器变为高时，PWM应变为低。 这是使用T1事件配置的。

在测试用例1中，这与预期的工作方式相同。 在CTR =0上，PWM将变为高，大约1.6 us后，比较器输出将变为高，PWM将变为低(T1事件)。 CMPA被配置为强制PWM在7US后处于低电平。 这用于将占空比限制为67 %。 在这种情况下，CMPA事件不会产生任何影响，因为比较器会提前关闭PWM。 到目前为止，一切都如预期的那样运作

在情况2中，CTR = 0将打开PWM，由于比较器已经很高，PWM应立即降低。 由于某些原因，T1事件不起作用。 7US之后，CMPA事件将PWM降低。

为什么T1事件不起作用？ T1边缘是否敏感？

此致，
托比亚斯

您好，Tobias，

感谢您的解释-我理解。 T1是单周期事件。 它的状态相对于比较器状态不保持活动状态(类似于仅为单个周期生成的CMPA事件)。 因此，在您的情况下，您正在获得TBCTR =0之前的T1事件。 您看不到它，因为它强制PWM过低，而该值已经很低。 然后TBCTR将PWM设置为高，直到CMPA才会发生其他事件。

新T1/T2的设计用途是将它们配置为设置和清除PWM输出。 您可以在"图14-31. 使用T1U/T1D的UP-Down计数，利用T1和T2事件生成PWM波形"。 由于您处于计数模式，您可以同时使用T1和T2或更改计数器模式。

您并不局限于这种精确的操作模式，但我认为现在您已经了解了T1和T2的操作模式，您将很快找到解决方案。 我将探讨如何改进我们的文档，使其更加清晰。

此致，
克里斯

您好，Kris，

在开始调整我的配置之前，让我解释一下我已经做了什么以及我在哪里看到了问题。
作为起点，我绘制了一张类似于《技术参考手册》中的图14-74的草图。

让我们来看看第一个PWM周期。 在CTR =0时，PWM将变高，斜率开始倒计时。 DAC起始值高于Isense值，比较器输出较低。 当DAC值达到Isense值时，比较器将跳闸，PWM将关闭。 这适用于Action Qualifier实现和Trip Zone实现。 这已在使用我的配置。

第一个PWM循环使用2月21日上午7：35后的"测试案例1"进行测试。 斜坡起始值设置为2.5万，该值等于1.26V，高于连接至1V电源的比较器的负输入。

现在，让我们来看看第三个PWM周期。 在PWM循环开始之前，会出现一个加载步骤，并且控制器输出低于Isense。 再次在CTR =0时，PWM将会变高，斜率开始倒计时。 由于斜率的起始值较低，因此比较器的Isense永久高。 现在，如果使用Action Qualifier，T1事件从不跳闸，并且PWM在CMPA事件中变为低电平。 这太晚了，电感器电流增加而不是减少。

第三个PWM循环使用2月21日上午7：35之后的"测试案例2"进行测试。 斜坡起始值设置为1.5万，等于0.76V，低于连接至1V电源的比较器的负输入。

我的理解是，跳闸区域工作正常，因为路径中有一个额外的触发器。 图14-41中的CBC闩锁。 在cTR=0时，CBC锁存器被清除，比较器输出稍后再次设置时钟周期。 这会导致ePWM1过低。 由于T1路径中缺少此触发器，因此不会生成任何事件，并且Action Qualifier (操作限定符)不会关闭ePWM (CMPA事件除外)。

我的假设是否正确？ 您认为我们是否可以使用Action Qualifier调整实施，以便它也适用于第三个PWM周期？

此致，
托比亚斯

好消息！ 我很高兴听到我们接近期望的行为。 您可以将PWM设置操作从TBCTR = 0更改为TBCTR = 1 (使用CMBB)。 如果您参考 表14-4。 操作限定符事件优先级在TRM中，您将看到T1和T2的优先级高于比较事件。 因此，如果这些在同一周期中出现，则T1事件将生效。

请尝试一下，并告诉我它是否有效。 如果是，请提供您的CMDSS相关代码。 我需要与我们的设计团队一起验证此路径是否正时关闭，是否保证在所有设备的相同周期内发生。

编辑：为上升计数模式引用了错误的表。 正确的表是表14-5。 运行计数模式的操作限定符事件优先级。

此致，

克里斯

您好，Kris，

我能够通过使用CMBB获得所需的行为。 与您告诉我的不同，我必须将CMBB值设置为3才能获得0 % 占空比。 我的猜测如下：

ctr=0生成同步脉冲
CTR =1比较器输出变为低电平
CTR =2比较器将变为高电压
CTR =3由于T1事件，PWM被清除

编辑：我在不同的ePWM模块上对其进行了测试。 要获得所需的行为，我必须以不同的方式设置CMBB：
EPWM3 CMBB = 3
EPWM4 CMBB = 2
问题是什么是正确的值，它是否可靠。 我的观察是，如果CMBB值太高，结果又是高占空比。 这是从一开始就不需要的行为。

以下是ePWM和CMPSS实现的代码

//设置TBCLK
ePWM_setTimeBasePeriod (EPWM1_BASE，PWM_TIMER_TBPRD)；
ePWM_setTimeBaseCounter (EPWM1_BASE，0U)；
ePWM_setSyncOutPulseMode (EPWM1_BASE， ePWM_SYNC_OUT PULSE_ON_COUNTER_ZERO)；

//设置计数器模式
ePWM_setTimeBaseCounterMode (EPWM1_BASE，ePWM_COUNT_MODE_UP)；
ePWM_DisablePhaseShiftLoad (EPWM1_BASE)；
ePWM_setClockPrescaler (EPWM1_BASE，
ePWM_Clock_diver_1，
ePWM_HSCLOCK分隔符_1)；

//设置阴影
ePWM_setCounterCompareShadowLoadMode (EPWM1_BASE，
ePWM_counter_compare_A，
ePWM_COMP_LOG_ON_CNTR_ZERO)；
ePWM_setCounterCompareShadowLoadMode (EPWM1_BASE，
ePWM_counter_compare_B，
ePWM_COMP_LOW_ON_CNTR_ZERO)；

//设置比较值
ePWM_setCounterCompareValue (EPWM1_BASE，
ePWM_counter_compare_A，
1000)；
ePWM_setCounterCompareValue (EPWM1_BASE，
ePWM_counter_compare_B，
3)；

//设置死区
ePWM_setDeadBandDelayPolarity (EPWM1_BASE，ePWM_DB_FED，ePWM_DB_POLICY_ACTIVE_LOW)；
ePWM_setDeadBandDelayMode (EPWM1_BASE，ePWM_DB_RED， TRUE)；
ePWM_setDeadBandDelayMode (EPWM1_BASE，ePWM_DB_FED，TRUE)；
ePWM_setRisingEdgeDelayCount (EPWM1_BASE， PWM_DB)；
ePWM_setFallingEdgeDelayCount (EPWM1_BASE，PWM_DB)；


//设置操作
//在CTR =3
ePWM_setActionQualifierAction (EPWM1_BASE，
ePWM_AQ_OUTPUT A，
ePWM_AQ_OUTPUT高，
ePWM_AQ_OUTPUT ON_TIMEBASE _UP_CMBB)；
//在CTR =1000上PWM低电平，限制最大占空比
ePWM_setActionQualifiAction (EPWM1_BASE，
ePWM_AQ_OUTPUT A，
ePWM_AQ_OUTPUT低，
ePWM_AQ_OUTPT_ON_TIMEBASE _UP_CMPA)；


//设置数字比较
// TRIP4 -> DCAH
ePWM_enableDigitalCompareTripCombinationInput (EPWM1_BASE，
ePWM_DC_combinational_TRIPIN4，
ePWM_DC_TYPE_DCAH)；
// DCAH -> DCAEVT2
ePWM_setTripZoneDigitalCompareEventCondition (EPWM1_BASE，
ePWM_TZ_DC_OUTPT_A2，
ePWM_TZ_EVENT_DCXH_HIGH)；
//将DCAEVT2启用为T1源
ePWM_setActionQualifierT1TriggerSource (EPWM1_BASE，ePWM_AQ_TRIG_EVENT_TRIG_DCA_2)；
ePWM_setActionQualifiAction (EPWM1_BASE，
ePWM_AQ_OUTPUT A，
ePWM_AQ_OUTPUT低，
ePWM_AQ_OUTPT_ON_T1_COUNT_UP)；

ePWM_setTripZoneAction (EPWM1_BASE，ePWM_TZ_ACT_EVENT_DCBEVT2，ePWM_TZ_ACT_DISABLE)；
ePWM_setTripZoneAction (EPWM1_BASE， ePWM_TZ_ACT_EVENT_DCBEVT1，ePWM_TZ_ACT_DISABLE)；
ePWM_setTripZoneAction (EPWM1_BASE，ePWM_TZ_ACT_EVENT_DCAEVT2，ePWM_TZ_ACT_DISABLE)；
ePWM_setTripZoneAction(EPWM1_base, ePWM_TZ_ACT_EVENT_DCAEVT1, ePWM_TZ_ACT_DISABLE )；
ePWM_setTripZoneAction(EPWM1_base, ePWM_TZ_ACT_EVENT_TZB, ePWM_TZ_ACT_DISABLE)；
ePWM_setTripZoneAction (EPWM1_BASE，ePWM_TZ_ACT_EVENT_TZA，ePWM_TZ_ACT_DISABLE)；

ePWM_setTripZoneAdvDigitalCompareActionA (EPWM1_BASE， ePWM_TZ_ADV_ACT_EVENT_DCxEVT2_D，ePWM_TZ_ADV_ACT_DISABLE)；
ePWM_setTripZoneAdvDigitalCompareActionA (EPWM1_BASE，ePWM_TZ_ADV_ACT_EVENT_U，ePWM_TZ_ADV_ACT_DISABLE)；
ePWM_setTripZoneAdvDigitalCompareActionA (EPWM1_BASE，ePWM_TZ_ADV_ACT_EVENT_DCxEVT1_D，ePWM_TZ_ADV_ACT_DISABLE)；
ePWM_setTripZoneAdvDigitalCompareActionA (EPWM1_BASE，ePWM_TZ_ADV_ACT_EVT_EVT_EVENT_U) ePWM_TZ_ADV_ACT_DISABLE)；

ePWM_setTripZoneAdvDigitalCompareActionB (EPWM1_BASE，ePWM_TZ_ADV_ACT_EVENT_DCxEVT2_D，ePWM_TZ_ADV_ACT_DISABLE)；
ePWM_setTriponeDigitalCompareActionB (EPWM1 Adv_BASE， ePWM_TZ_ADV_ACT_EVENT_DCxEVT2_U，ePWM_TZ_ADV_ACT_DISABLE)；
ePWM_setTripZoneAdvDigitalCompareActionB (EPWM1_BASE，ePWM_TZ_ADV_ACT_EVENT_DCxEVT1_D，ePWM_TZ_ADV_ACT_DISABLE)；
ePWM_setTripZoneAdvDigitalCompareActionB (EPWM1_BASE，ePWM_TZ_ADV_ACT_EVENT_DCxEVT1_U，ePWM_TZ_ADV_ACT_DISABLE)；



ePWM_enableInterrupt (EPWM1_BASE)；
ePWM_setInterruptSource (EPWM1_BASE， ePWM_INT_TBCTR_U_CMPC)；
Interrupt_enable (INT_EPWM1)；
Interrupt_register (INT_EPWM1，&ISRPreControlTask)；
ePWM_setInterruptEventCount (EPWM1_BASE， 1)；
ePWM_clearEventTriggerInterruptFlag (EPWM1_BASE)；
Interrupt_clearACKGroup (INTERRUCT_ACK_GROUP3)；


CMPS_enableModule (CMPSSS1_BASE)；
CMPS_HighComparator (CMPSSS1_BASE， CMPS_INSRC_DAC)；
CMPSS_configDAC (CMPSSS1_BASE，CMPS_DACVAL_PWMSYNC |
CMPS_DACREF_VDDA |
CMPS_DACSRC_RAMP)；
CMPSS_configOutputsHigh (CMPSSS1_BASE，CMPSS_TRIGK_LATCH |
CMPS_TRIPOUT_LATCH)；
CMPSS_configLatchOnPWMSYNC (CMPSSS1_BASE，TRUE，TRUE)；
CMPS_configFilterHigh (CMPSSS1_BASE， 2，20，15)；
CMPS_initFilterHigh (CMPSSS1_BASE)；
CMPS_setRampDecValue (CMPSSS1_BASE， ramp_decapment)；
CMPSS_setRampDelayValue(CMPSS1_BASE，ramp_delay)；
CMPS_configRamp (CMPSS1_BASE，
2.7万，
渐变递减，
斜坡延迟，
1，
FALSE)；

GPIO _setMasterCore (11，GPIO _CORE _CPU1)；
GPIO _setPinConfig (GPIO _11_OUTPUTXBAR7)；
GPIO _setDirectionMode (11， GPIO _DIR_MODE_OUT)；
GPIO _setPadConfig (11，GPIO PIN_TYPE_STD)；

XBAR_setOutputMuxConfig (XBAR_OUTPUT7，XBAR_OUT_MUX00_CMPSS1_CTRIPOUTH)；
xbar_enableOutputMux (XBAR_OUTPUT7，XBAR_MUX00)；

XBAR_setEPWMMuxConfig (XBAR_TRIP4，XBAR_ePWM_MUX00_CMPSS1_CTRIPH)；
XBAR_enableEPWMMux (XBAR_TRIP4， Xbar_MUX00)；

此致，
托比亚斯

您好，Kris，

一个或两个时钟周期的小准时问题对我来说不是那么重要。 由于XBAR是异步的，而且行为在所有情况下都不同，我将使用CTR =0设置PWM。
您是否与体系结构委员会讨论过实施问题？ 他们是否有不同的方法来实施峰值电流控制器？

关于高占空比问题，您的理解是正确的。 您认为数字比较模块中的空白窗口是正确的方法吗？

此致，
托比亚斯

您好，Kris，

感谢您的详细解释。 据我所知，这个问题没有简单的解决办法。
我仅使用EPWM1-3，CMPSSS1，2和两个ePWM X条。 不使用输入X条。

在最终产品中，我将使用TMS320F2.8377万DZWTS。

此致，
托比亚斯