主题: controlSUITE中讨论的其他部件
工具/软件:Code Composer Studio
我希望能够在CPU内部的非易失性内存中保存和检索少量数据-我假定的闪存。 将存储的数据将是序列号和校准参数值之类的内容,这些内容将在每个蓝月更新一次,因此无需使用磨损平衡之类的内容。
到目前为止,我还没有找到如何做到这一点的示例,但我很确定它们一定存在,有人能给我指示例吗?
TED
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工具/软件:Code Composer Studio
我希望能够在CPU内部的非易失性内存中保存和检索少量数据-我假定的闪存。 将存储的数据将是序列号和校准参数值之类的内容,这些内容将在每个蓝月更新一次,因此无需使用磨损平衡之类的内容。
到目前为止,我还没有找到如何做到这一点的示例,但我很确定它们一定存在,有人能给我指示例吗?
TED
瓦姆西
我一直在查看Flash API文档snpu595.pdf,可以看到,编写代码以使用这些API命令擦除数据并将其编程到闪存中非常简单,但有几件事让我担心。
1.文档显示...
F021 Flash API库不能从为选择的活动气缸组所在的同一气缸组执行
要操作的API命令。 在单组设备上,必须从RAM执行F021闪存API。
我觉得F28M35H52C有两组闪存,一组用于M3,一组用于C28,对吗?
2.如果M3只有一个库,我想M3对我的“微型EEPROM”区域进行编程,我唯一的选择是从RAM执行代码还是可以使C28程序成为M3闪存? 如果我必须从RAM运行代码,那么我该如何执行此操作,是否有文档说明如何使我的代码的特定部分从RAM运行?
谢谢!
TED
Ted,
1)您回答正确。
2)无法通过从C28x内核执行闪存API来对M3闪存库进行编程。 M3 Flash API必须从M3 RAM执行才能对其闪存库进行编程。
请检查controlSUITE (ti\controlSUITE\DEVICE_SUPPORT\f28m35x\VX\F28M35x_Examples_Dual\FLASH_PROG\m3)中提供的Flash API使用示例。 在此示例项目中,您将注意到Flash API函数是从RAM执行的。 从示例中观察以下内容:
(A)本示例中使用的Linker命令文件将 F021_API_CorrexM3_LE.lib分配给.TI.ramfunc部分,该部分具有Flash加载地址和RAM运行地址。
(b) Example的main函数调用memcpy(),在执行之前将上述部分的内容从Flash复制到RAM。
如果您有任何疑问,请告诉我。
3)另外,我注意到您正在使用controlSUITE的旧SPNU595文档。 请改用 此http://www.ti.com/lit/pdf/spnu595 (在之前引用的wiki中提到)。 我将提交一个票据,以反映此器件controlSUITE中的最新指南。
谢谢,此致,
Vamsi