[参考译文] TMS320F2.8377万S：最大ADC采样率。

您好，Mandal，

尽管性能将是一个问题，但通过交错ADC来提高采样率肯定是可行的。 如果您需要~8位分辨率，这可能是可行的。

表5-51给出了ADC转换时间。 "12位模式下的ADC时序(SYSCLK周期)"。 从该表中可以发现，ADC在SYSCLK的/4 (CPU以200MHz运行时通常为)中运行时的转换时间为44个周期。 最小S+H为75ns @ 200MHz = 15个周期。 因此，两次采样之间的总ADC时间至少需要为59个周期。 如果您想要10MSPS，则必须每20个周期进行一次采样。 4个ADC时，每个ADC每80个周期采样一次，即> 59个，因此可以。

要生成触发器，您可能需要使用2个同步的ePWM，每个周期为80个周期。 每个ePWM都可以为两个ADC生成触发器。

就内存而言，10MSPS * 0.25 秒= 2.5M采样。 每个示例都是12位，因此它们需要一个完整的16位字。 芯片RAM多达106K x 16，因此您肯定需要一个连接到EMIF外围设备的外部存储器。 DMA应该可以将ADC样本移动到EMIF，EMIF也可以在没有CPU干预的情况下写入外部存储器。

至于性能，请查看数据表"ADC特性(12位单端模式)"中的ENOB部分。 在这种交错的情况下，ADC不是以锁定步进的方式运行，因此我们必须考虑“异步ADC”的性能规范。 对于ZWT软件包(BGA)，这是10.9 位，对于PTP pacakge (QFP)，这是9.7 位。 两者都应该可以，但请注意，单核F2.8377万x启动板使用PZP软件包，在这种情况下，该软件包的性能非常差，因此“不支持”。 PZP封装也只有2个ADC已固定，因此，如果您想使用启动板作为开发平台，则可能需要使用F28.3779万D双核启动板。

除了非锁定步长性能下降之外，由于ADC到ADC的增益，偏移和线性不匹配，交错ADC还会为您提供一些非常重要的音调。 我们在数据表中将ADC到ADC的增益和偏移误差指定为+/-4 LSB和+/-2 LSB (均为典型值)，因此我认为您应该可以满足8位性能要求。

感谢Devin，

如果您说将分辨率降低到8会引起性能问题，那么最好使用12位分辨率，而不是8位分辨率。
一个修正是，我必须对数据采样0.25毫秒，而不是0.25秒，所以我需要2.5K*16位来存储这些数据，我认为可能没有任何外部存储器。 (是否可以使用闪存存储此数据？)
同样，正如您所说，一个ADC需要59个SYSCLK周期来进行整个采样过程，那么其采样率将为59个采样@200MHz=3.3898MSPS。
因此，可能有两个3.38 2*ADC=6.779MSPS。

由于我的要求不是那么严格，我可能会倾向于在初步研究时，以较低的采样速度进行。

我不明白“异步ADC”的确切含义。
这是否意味着，我不能使用两个具有触发器的ADC，这些触发器在每个ADC的周期之间具有时间间隔(以获得双倍采样率)。因为我的设备不支持它？
或者我可以做这件事吗？
什么是"非锁定步骤"。

对不起，如果我问了一些愚蠢/基本的问题。 由于我对这些事情不熟悉，因此只需阅读数据表就很难理解所有内容。
再次感谢您的宝贵知识。

您好，Mandal，

让我们从锁定步骤/异步情况与软件包开始：

在某些情况下，芯片上的4个不同的ADC模块可能会相互干扰。  如果您以锁定步骤操作它们- ADC同时开始和结束转换-则不会产生干扰，您将获得最大的ADC性能。  如果ADC完全异步运行，或具有固定相位差异(交叉存取就是这种情况)，则性能处罚会因软件包而异。  在BGA ZWT软件包上，ENOB从11.1 位降级到10.9 位(不是显著降级)。  在QFP 176引脚PTP封装上，ENOB从11.1 位降级到9.7 位...这是一种明显的降级，但它仍应满足您的要求。  在QFP 100引脚PZP封装上，ENOB从11.1 位降级为“不支持”(注：这是F2.8377万S启动板使用的封装)。  您仍然可以通过这种方式配置ADC，但我们不支持此配置中的ENOB规范(因为性能不佳)。  在这种情况下，将性能降低到8-bits...it不会有任何问题，因为您可以使用非锁定步骤的ADC。  请注意，在这种情况下，您仍将获得12位结果...性能不会那么好(但它仍应优于理想的8位ADC)。  

对于采样率，您可能希望低于最大采样率，以便为触发器留出一定的余量，并且您可能希望将S+H持续时间增加到最小值以上(取决于信号调节电路的低阻抗， 如果您想从ADC输入上的外部R-C获得任何低通滤波)。  10MSPS运行良好，因为您可以以2.5MSPS的速率运行3个ADC中的每一个，并且有足够的裕度超过~3.4 MSPS最大速度。

2.5K x 16内存位置在内部设备SRAM中应该没有问题。  您可以使用闪存模拟EEPROM，但我认为它的速度不足以实时存储数据(您可以将数据存储在SRAM中，然后根据需要保存到闪存中)。