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[参考译文] TMS320F28377S:使用操作&quot 设置断点时出现问题;保持暂停"位于0xc12b

Guru**** 2440720 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1104326/tms320f28377s-trouble-setting-breakpoint-with-the-action-remain-halted-at-0xc12b

器件型号:TMS320F28377S

各位专家、您好!  

客户使用 XDS110/XDS100v3调试器连接到 F28377S、并将闪存程序加载到其中。 但是控制台提示"在0xc12b 处使用操作"保持暂停"设置断点时出现问题"。  

1.让他们加载 RAM 程序,它可以工作;

2.让他们修改一个闪存编程演示(将所有部分分配到 RAM 中)、并且所有闪存扇区都可以被擦除和编程。 这意味着闪存控制器和闪存都可以、对吧?   

3.已检查 XRS 和 VSS3VFL,两者均正常。  

4.让他们 使用 CCS11.1而不是 CCS7,不起作用,错误仍然存在。  

此外、还会检查闪存 ECC 错误标志、不会发生 ECC 错误。

6、对于 DCSM、这是一个新芯片、所有配置都是默认的。  

7. 在0xc12b'提示"设置断点时、引导流程在等待循环(Estop)处停止。

8.另外、在连接目标之后和加载闪存程序之前、让客户恢复器件、但仍然无法正常工作。  

请帮助检查其他可能性。 F28377S 的闪存插件包可能不正确?  

此致、  

将会  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    将、

    您能否 连接到 CCS、请通过 CCS Memory View 检查0xc12b 中的存储器内容以及 main()函数?

    谢谢、此致、

    桑托什

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    您好、Santosh、  

    我可以修改0xC12B 处的存储器内容、以便 RAM 不被 DCSM 锁定(所有存储器都未锁定)。  

    如果程序被分配在 RAM 中、我可以在内存浏览器中看到 main()函数。  

    当程序被放入闪存中时、我无法擦除和编辑存储器。  

    此致、  

    将会  

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    将、

    我将与 Flash 专家联系以获得有关帮助。 请稍后回复。

    谢谢、此致

    桑托什

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    你好、

    如何配置引导模式引脚?  希望您尝试了等待引导配置。

    是否在控制台窗口中显示唯一错误?  请启用闪存插件 GUI 底部可用的"Verbose output"模式、并发布控制台窗口的快照。

    谢谢、此致、
    Vamsi

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    您好、Vamsi、  

    感谢您的意见。 它们使用两个默认引导模式引脚作为其他 IO 功能。 但是从引导流程图中可以看到、当连接调试器时(TRST 为高电平)、当0xD00中的 LSB 7:0内容不是0x5A 时、调试器将进入等待引导模式。 我让他们通过 GEL 文件修改0xD00内容。 因此它实际上处于等待引导模式。  

     将控制台窗口的快照布置。  

    此致、  

    将会  

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    你好、

    我将要求我们的仿真/引导专家根据您的说明确认引导模式。

    将等待控制台窗口快照。

    谢谢、此致、

    Vamsi

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    您好、Vamsi、  

    启用详细输出后、请按如下所示检查控制台:  

    此致、  

    将会  

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    我可以修改0xC0EB 中的 SRAM:  

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    你好、

    您能否在 TI 控制卡上尝试精确的 CCS 设置并了解具体情况?

    我强烈认为这是一个电路板问题。  我们尝试过、它对我们来说很好(此外、许多其他用户目前正在使用-未报告任何问题)。  当闪存插件操作处于活动状态时、请检查电压线以确保它们处于建议的工作范围内。

    谢谢、此致、

    Vamsi

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    您好、Vamsi、  

    你是对的。 此问题是由主板问题引起的。 具体而言、这是由外部 XRS 电路造成的。  在 XDS 引脚上放置一个更高的上拉电阻可以解决这个问题。  

    感谢您的指导。  

    将会