[参考译文] F28M35H52C：F28M35H52C 无法读取外部 RAM 寄存器数据。

我很遗憾，我无法理解你所说的话。 请详述一下。

如上图所示、TI MCU F28M35官方例程 EPI_SRAM_8BIT 找到配置 EPIOS31-- A20的使用情况不是很清楚、为什么读取时间需要上拉下拉、配置时间需要配置输出模式、HB8模式不存在 A20、为什么要使用？  

2.如果我现在正在使用 HB16、我也需要使用 A12、但实际上我只找到了 A11、我应该如何处理它？ 我是否还可以根据例程选择以下引脚来处理它？   请通知我、非常感谢！  

供参考

对于 HB8模式、A20用于多路复用模式。 然而、由于地址引脚的数量减少(在 A19上停止)、它在非复用模式下不可用。 我假设您的问题是、当 HB8模式下不支持 A20时、为什么要初始化 EPIOS31？ 例如、以下行引用此信号：61、158和524。

我认为 A20用于使可访问的内存加倍。即 A20用于选择不同的内存页。  

请告诉我您正在使用的 controlSUITE 版本吗？ 我使用的是 v220。

在非复用模式中、地址范围被缩小并且只有12个地址引脚可用(A0-A11)。 您可以将 GPIO 引脚用作 A12、这与在 HB8模式下使用 A20的方式类似。

很抱歉我不明白。 您可以与我分享您的原理图吗？

1、我使用的 TI controlSUITE 版本为 v202、下面显示了 EPI_SRAM_8位、下面还显示了使用 HB16访问 DPRAM 时配置的屏幕截图。

我在 DPRAM 中找到了14条地址线、 并下拉了 DPRAM 的 A0、因此 DPRAM 侧的 A13需要连接到 F28M35上的 A12、但实际的 EPI 没有 A12、我查看了官方例程、发现 我们可以配置地址线 非由 EPI 定义的例程，即：

GPIOPinWrite（GPIO_PORTG_base，GPIO_PIN_7，0，

GPIOPinWrite（GPIO_PORTG_base，GPIO_PIN_7，1、

那么、我想知道官方例程是否意味着读取外部 RAM 不同块的存储器？   使用时是否需要以这种方式操作？  

例如、假设我将地址行 A12定义为 G6、

GPIOPinWrite（GPIO_PORTG_base，GPIO_PIN_6，0）、这允许访问高达0x1000的寄存器地址；

GPIOPinWrite（GPIO_PORTG_base，GPIO_PIN_6，1）、这允许访问0x1000以上的寄存器地址；

上述陈述是否正确？

2、当我根据以下配置访问外部 DPRAM 的0x204地址时、我发现只有通过短接 RD 引脚和3.3V 才能读取数据、否则我读取的数据是错误的、您能解释原因吗？

我需要一天或两天时间来分析这个问题。 感谢您的耐心等待。

您好、有没有好消息？

该示例被写入以将 EPI 连接到 IS61WV20488BLL 芯片、这是一个2M x 8的器件。 要寻址2M 个位置、您需要21个地址行。 但是、在非复用模式下、A20不可用。 因此、EPI0S31有可能被用于通过软件来模拟 A20引脚。

在非复用模式中、地址范围被缩小并且只有12个地址引脚可用(A0-A11)。 您可以将未使用的 EPI0S 引脚用作 A12、这与在 HB8模式下 EPI0S31用作 A20的方式类似。

如果可能、请下载最新版本、即 v220

请将完整的原理图发送给我吗？ 我很难理解您的问题。 您不必将其发布在论坛上；您可以通过发起“友谊”请求与我私下分享。 至少、我需要查看 MCU 和您的存储器芯片之间的所有连接。

扎兴

  在稍微不同的注释中、您的问题是否与生产中的现有设计/项目有关、或者与新项目有关？