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[参考译文] TMS320F28379D：将变量保存到闪存中

admin
Guru**** 2589265 points
Other Parts Discussed in Thread: C2000WARE

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1112551/tms320f28379d-saving-variables-to-flash-memory

器件型号：TMS320F28379D
主题中讨论的其他器件：C2000WARE

您好！

我当前正在测试一些代码、在这些代码中、我从闪存中引导、然后将程序加载到 RAM 以加快执行速度。  我想尝试在闪存中保存几个变量值、这样我就可以在每次启动 MCU 时使用这些变量的更新值、而无需每次下载新代码。 我可以遵循的任何指导/建议都将非常有帮助。

谢谢、

Aditya

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    TI__Guru**** 2589265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Aditya、

    您认为您可能需要在产品生命周期中更新变量多少次？

    谢谢、此致、

    Vamsi

  • 0
    TI__Guru**** 2589265 points
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    您好、Vamsi、

    不是很频繁。 最多几百次。   

    谢谢、

    Aditya

  • 0
    TI__Guru**** 2589265 points
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    您好、Aditya、

    如果是这种情况、那么您只需分配一个扇区(无需两个扇区即可进行 EEPROM 仿真)并使用闪存 API 根据需要擦除/编程该值。

    当前数据表显示20K 最大 W/E 循环-但我们将更新数据表以反映整个闪存(所有扇区一起)的100K。  这远远超出了您的需求。   

    谢谢、此致、
    Vamsi

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    TI__Guru**** 2589265 points
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    谢谢 Vamsi。 我将对其进行测试。   20k/(现在为100k)是可以重新编程闪存的次数吗？ 如果要查看更新变量的更高频率选项 ，是否需要查看 EEPROM 仿真？ 您是否会推荐任何示例/文档、因为我尚未深入了解28379D 上的闪存编程？  

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    TI__Guru**** 2589265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Aditya、

    是的、您可以擦除/编程100K 次。   

    是的、如果您想擦除/编程超出此范围、则无法执行此操作。  如果要更新超出此范围的变量、则需要专门指定两个扇区(最小值)、并不断更新一个扇区、直到其已满-您的应用程序应始终读取变量更新值的最新位置。  一旦扇区已满、您将切换到第二个具有最新值的扇区、并擦除整个扇区。  这样、您可以在两个扇区之间交替更新变量值。

    关于闪存 API 的使用：   

    示例：C：\ti\c2000\C2000Ware_4_01_00_00\device_support\f2837xd\examples\dual\flash_programming

    闪存 API 指南： http://www.ti.com/lit/pdf/spnu629  

    3.有关 C2000器件闪存 API 用法的常见问题解答： https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/171/t/951668 

    4.有关 C2000器件中闪存 ECC 用法的常见问题解答： https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/171/t/951658 

    谢谢、此致、
    Vamsi