[参考译文] TMS320F280023：闪存编程期间的高故障率

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1065255/tms320f280023-high-failure-rate-in-programming-during-flash-program

我一直在使用 SRAM 存储代码、但它一直运行良好。 现在、随着我信心十足、代码也越来越大。 我决定改用闪存。

我在尝试闪存时遇到以下错误。 请注意、它在20次中的1次有效。

C28xx_CPU1：错误：(错误-1044 @ 0x0)调试探针报告了错误。 确认调试探针配置和连接、重置调试探针、然后重试此操作。 (仿真包9.3.0.00058)
C28xx_CPU1：20次尝试后无法确定目标状态
C28xx_CPU1：在断开连接之前无法从目标中删除调试状态。 程序存储器中仍可能嵌入了断点运算代码。 建议您在连接之前重置仿真器、并在继续调试之前重新加载程序
C28xx_CPU1：闪存操作期间发生错误：无法写入0x00000064@数据：目标未连接
C28xx_CPU1：闪存操作期间发生错误：无法读取0x00136@程序：目标未连接
C28xx_CPU1：闪存操作期间发生错误：无法读取0x0012C@程序：目标未连接
C28xx_CPU1：闪存编程器：擦除扇区1时出错。 FMSTAT 值= 0。 操作已取消(0)。
C28xx_CPU1：文件加载程序：内存写入失败：未知错误

我已将引导引脚 GPIO24和 GPIO32拉为高电平。 请提供建议。